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[期刊论文] 作者：屈新萍,,
来源：世界科学 年份：2009
纳米压印（nanoimprint）这个词汇从1995年发明到现在，目前还并未被大多数学者和人们所认识。让我们来解读一下纳米压印。纳米，已经越来越走进我们的生活，随着纳米技术的大量应用，纳......
[学位论文] 作者：屈新萍,,
来源：重庆医科大学 年份：2020
目的:总结儿童抗NMDAR脑炎的相关癫痫急性期发作的临床特征及远期预后,并探讨影响癫痫发作预后的可能因素,为该病诊断和治疗提供依据。方法:回顾性分析2012年08月-2018年06月重庆医科大学儿童医院62例抗NMDAR脑炎患儿急慢性期癫痫发作的临床资料及随访结果。结......
[期刊论文] 作者：屈新萍, 胡越,,
来源：现代医药卫生 年份：2004
回 回 产卜爹仇贱回——回 日E回。”。回祖 一回“。回干 肉果幻中 N_。NH lP7-ewwe--一”＄ MN。W;- __._——————》 砧叫]们羽 制作:陈恬’＃陈川个美食Back to yield...
[期刊论文] 作者：徐蓓蕾,屈新萍,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2004
研究了在Co/Ti/Si结构中加入非晶GeSi层对CoSi2/Si异质固相外延的影响,用离子束溅射方法在Si衬底上制备C o/GeSi/Ti/Si结构多层薄膜,通过快速热退火使多层薄膜发生固相反应....
[期刊论文] 作者：吴佳宏,屈新萍,,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2012
通过溶胶-凝胶法在SiO2/Si衬底上制备Mg-In-Zn-O（MIZO）透明氧化物半导体薄膜,并制备了MIZO肖特基源漏薄膜晶体管。实验结果表明,制备的MIZO薄膜呈现非晶态,具有良好的透过率。5...
[期刊论文] 作者：屈新萍,茹国平,
来源：半导体学报 年份：2004
研究了Ni/Pd双层薄膜在硅衬底上的硅化物形成过程.结果表明,加入Pd层后,退火形成Ni1-xPdxSi固熔体,该固熔体比NiSi的热稳定性好,使得NiSi向NiSi2的转变温度升高.加入Pd的量越...
[会议论文] 作者：赵莹, 谢琦, 屈新萍,,
来源： 年份：2007
本文采用电镀方法制备具有一定孪晶密度的纯铜样品,并对不同的电镀参数和不同电镀衬底的实验结果进行了初步比较。发现不同的衬底结构对孪晶的产生和密度有很大影响。同时发...
[期刊论文] 作者：李守荣,梁平治,屈新萍,
来源：红外与毫米波学报 年份：2003
利用表面微机械加工技术,研制出微桥结构红外微辐射元.该辐射元是电阻阵列动态红外景象产生器的基本组成单元.辐射元可以产生等效黑体辐射温度为300～500K的红外辐射,能够满足...
[期刊论文] 作者：屈新萍,徐蓓蕾,茹国平,
来源：半导体学报 年份：2004
采用Co/C/Si多层薄膜结构的中间层诱导固相外延方法在Si(100)上制备外延CoSi2薄膜.用四探针电阻仪、XRD、AES、RBS等分析手段对该结构固相反应形成的薄膜的电学特性、组分、...
[期刊论文] 作者：蒋玉龙,茹国平,屈新萍,李炳宗,
来源：半导体学报 年份：2006
采用不同硅化工艺制备了NiSi薄膜并用剖而透射电镜（XTEM）对样品的NiSi／Si界面进行了研究．在未掺杂和掺杂（包括As和B）的硅衬底上通过物理溅射淀积Ni薄膜，经快速热处理过程（RTP）完成硅化......
[期刊论文] 作者：蒋玉龙,茹国平,屈新萍,李炳宗,
来源：半导体学报 年份：2006
在pn结形成之后借助非晶化Si离子注入技术可以将结表面Si单晶层非晶化.作者研究了这种非晶化处理对Ni硅化反应的影响.实验发现,非晶化处理可以促进Ni在低温下与衬底Si的反应,...
[期刊论文] 作者：蒋玉龙,茹国平,屈新萍,李炳宗,
来源：半导体学报 年份：2005
在多种Si衬底上利用离子束溅射淀积超薄Ni膜以及Ni/Ti双层膜,经过快速热退火处理完成薄膜的固相硅化反应,通过四探针法、微区喇曼散射法和俄歇深度分布测试法研究了Ti中间层...
[期刊论文] 作者：屈新萍,陆华,茹国平,李炳宗,,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2005
研究了薄膜沉积条件之一--氮气和氩气流量比对超薄(10 nm)W-Si-N薄膜作为铜扩散阻挡层的阻挡特性的影响.用薄层电阻、俄歇电子能谱(AES)、X射线衍射谱(XRD)、电容-电压(C-V)...
[期刊论文] 作者：屈新萍,茹国平,徐蓓蕾,李炳宗,
来源：半导体学报 年份：2000
研究了超薄 (～ 1 0 nm) Co Si2 /Si的肖特基势垒接触特性 .Co( 3— 4nm) /Ti( 1 nm)双层金属通过快速热退火在 Si( 1 0 0 )衬底上形成超薄 Co Si2 薄膜 .X射线衍射测试表明该...
[期刊论文] 作者：王光伟,茹国平,屈新萍,李炳宗,
来源：半导体技术 年份：2004
采用离子束溅射淀积非晶锗硅薄膜,通过热扩散进行磷掺杂,制备弱n型的多晶锗硅薄膜.用X射线衍射表征了在快速热退火条件下,钴和镍与多晶锗硅的固相反应.利用室温I-V法研究了钴...
[期刊论文] 作者：竺士炀,茹国平,屈新萍,李炳宗,,
来源：城市道桥与防洪 年份：2001
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生、测量监控等方面人手,介绍了S226海滨大桥...
[期刊论文] 作者：韩永召,李炳宗,屈新萍,茹国平,
来源：半导体学报 年份：2001
研究了顺次淀积在 Si (10 0 )衬底上的 Ni/ Pt和 Pt/ Ni的固相硅化反应 .研究发现 ,当 1nm Pt作为中间层或覆盖层加入 Ni/ Si体系中时 ,延缓了 Ni Si向 Ni Si2 的转变 ,相变...
[期刊论文] 作者：竺士炀,屈新萍,茹国平,李炳宗,C.Detaveriner,,
来源：半导体学报 年份：2004
通过在硅(100)衬底上淀积的Co(3nm)/Ti(1nm)双金属层在不同退火温度下的固相反应,在硅衬底上制备了超薄外延CoSi2薄膜.在低温下,用弹道电子显微术(BEEM)及其谱线(BEES)测量了...
[期刊论文] 作者：谭晶晶,周觅,陈韬,谢琦,茹国平,屈新萍,
来源：半导体学报 年份：2006
研究了钌(Ru)/氮化钽(TaN)双层结构对铜的扩散阻挡特性,在Si(100)衬底上用离子束溅射的方法沉积了超薄Ru/TaN以及Cu/Ru/TaN薄膜,在高纯氮气保护下对样品进行快速热退火,用X射...
[期刊论文] 作者：陆华,屈新萍,王光伟,茹国平,李炳宗,
来源：半导体学报 年份：2003
研究了W-Si-N三元化合物对铜的扩散阻挡特性，在Si(100)衬底上用离子柬溅射方法淀积W-Si-N，Cu／W-Si-N薄膜，样品经过高纯氮气保护下的快速热退火，用俄歇电子能谱原子深度分布与x射线......
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