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[学位论文] 作者：许桂贵,,
来源：福建师范大学 年份：2009
随着集成电路的飞速发展,SiO2作为传统的栅介质将不能满足MOSFET器件高集成度的要求,需要一种新型High-k材料来代替传统SiO2。由于多晶硅与HfO2等高k栅介质材料结合会出现许...
[期刊论文] 作者：许桂贵,吴景,黄志高,
来源：福建师范大学学报（自然科学版） 年份：2004
利用基于密度泛函理论的第一性原理方法研究了 Ni1-xPtx(111)和Ni1-xPtx(001)表面合金的功函数.计算结果表明,Pt原子掺杂在表面层时对功函数影响较大,而且表面层Pt原子掺杂后...
[期刊论文] 作者：许桂贵, 吴青云, 张健敏, 陈志高, 黄志高,,
来源：物理学报 年份：2009
采用基于密度泛函理论(DFT)广义梯度近似(GGA)下的第一性原理方法系统地研究了不同覆盖度下O在Ni(111)表面的吸附特性.计算结果表明,O在Ni(111)表面的稳定吸附位为三重面心立...
Effect of C doping on the structural and electronic properties of LiFePO_4:A first-principles invest
[期刊论文] 作者：许桂贵, 吴景, 陈志高, 林应斌, 黄志高,
来源：null 年份：2012
...
[期刊论文] 作者：郭文锑,黄璐,许桂贵,钟克华,张健敏,黄志高,
来源：物理学报 年份：2021
由于MnBi2Te4电子结构具有对晶格常数的改变相当敏感的特性,本文采用基于密度泛函理论的第一性原理方法对MnBi2Te4反铁磁块体的电子结构施加等体积应变调控.研究发现体系能带...
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