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[学位论文] 作者：迭俊珲,,
来源：中国科学院大学(中国科学院物理研究所) 年份：2019
非极性氮化镓(GaN)材料因其能够完全避免极化电场的影响,在光电子和电子器件方面展现出了巨大的应用潜力。由于目前大尺寸GaN衬底的制备还存在很大的困难,所以主要的研究工作...
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