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[期刊论文] 作者：顾书林,
来源：新材料新装饰 年份：2014
陶瓷是一种历史悠久的建筑装饰材料，在现代的建筑装修工程中陶瓷制品仍然被广泛应用。陶瓷饰面砖被越来越多的应用到建筑装饰工程上，因此，对建筑装饰陶瓷饰面砖的研究也得到了人......
[期刊论文] 作者：汤琨,顾书林,朱顺明,,
来源：半导体技术 年份：2008
通过采用O2与N2O按照一定的流量比作为反应气源,利用MOCVD方法实现了较低电阻率的N掺杂ZnO薄膜。实验分别研究了改变O2与N2O流量比和改变衬底温度对于薄膜电学性质的影响,并...
[期刊论文] 作者：陈慧,顾书林,朱顺明,,
来源：发光学报 年份：2011
利用金属有机源化学气相沉积（MOCVD）生长方法,在2.5kPa和5kPa生长压强下,分别以sapphire（Al2O3）和ZnO为衬底生长ZnMgO薄膜。研究分析了样品的晶体结构、表面形貌、光电学性质。结...
[期刊论文] 作者：吴孔平,顾书林,朱顺明,
来源：材料导报 年份：2013
采用基于密度泛函理论框架下的第一性原理方法，结合广义梯度近似研究了过渡金属Mn掺杂ZnO与（Mn，N）共掺ZnO的电子结构和磁性。对Mn掺杂ZnO不同构型的相对能量进行计算，结果表明Mn掺......
[期刊论文] 作者：吴孔平,顾书林,朱顺明,,
来源：半导体技术 年份：2008
研究了高质量的Ga、Mn共掺ZnO外延薄膜的电子结构和光学特性,这些薄膜通过MOCVD沉积在蓝宝石(0001)面上。结果显示单Mn掺杂时的样品呈现高阻p型,Ga和Mn共掺时呈现n型,而载流...
[期刊论文] 作者：顾书林, 张荣, 施毅, 郑有炓, 张宁,
来源：功能材料与器件学报 年份：2000
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[期刊论文] 作者：孔月婵,郑有炓,储荣明,顾书林,
来源：物理学报 年份：2004
通过用数值计算方法自洽求解薛定谔方程和泊松方程,研究了Al组分对AlxGa1-xN/GaN异质结构二维电子气性质的影响,给出了AlxGa1-xN/GaN异质结构二维电子气分布和面密度,导带能...
[期刊论文] 作者：胡智向,吴玉喜,顾书林,李腾,渠立成,,
来源：量子电子学报 年份：2010
为了研究外压调制对半导体材料ZnO晶体结构和光学性质的影响，采用基于密度泛函理论（DFT）的第一性原理对不同外压条件下ZnO晶体的晶格常数、介电函数、复折射率、吸收系数、反射......
[期刊论文] 作者：袁晓利,施毅,朱建民,顾书林,郑有,
来源：南京大学学报 年份：2001
利用电容-电压(C-V)测量研究了界面陷阱对于硅纳米晶粒基金属-氧化物-半导体(MOS)电容结构的电荷存储特性的影响.研究表明硅纳米晶粒的界面陷阱与SiO2/Si衬底界面态对电荷存...
[期刊论文] 作者：吴玉喜,张昊,韩龙,顾书林,渠立成,李腾,,
来源：原子与分子物理学报 年份：2011
本文采用基于第一性原理的密度泛函理论(DFT)平面波超软赝势方法,计算了未掺杂ZnO和K,K-2N掺杂ZnO体系的晶体结构、能带、电子态密度与光学性质.研究表明:K掺杂ZnO体系,带隙...
[期刊论文] 作者：吴玉喜,张昊,韩龙,顾书林,渠立成,李腾,
来源：原子与分子物理学报 年份：2004
本文采用基于第一性原理的密度泛函理论(DFT)平面波超软赝势方法,研究了Sc掺杂ZnO体系的晶体结构、电子结构和光学性质.在对sc掺杂结构优化的基础上对其进行了数值模拟计算,...
[期刊论文] 作者：张昊,吴玉喜,顾书林,渠立成,李腾,韩龙,
来源：量子电子学报 年份：2012
为了研究ZnO掺Sb后电子结构和光学性质的变化，采用基于密度泛函理论对纯净ZnO和Sb掺杂ZnO两种结构进行第一性原理的计算。计算结果表明：随着Sb的掺入，体系的晶格常数变大，键长增......
[期刊论文] 作者：杨铮, 施毅, 顾书林, 沈波, 张荣, 郑有炓,,
来源：固体电子学研究与进展 年份：2004
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[期刊论文] 作者：顾书林,张荣,施毅,郑有炓,张宁,KUECH T F,
来源：功能材料与器件学报 年份：2000
报告了氢化物气相外延技术中 ,在载气氮气氛中加入氢气对材料表面形貌及材料性质的影响。实验发现生长气氛中氢的存在会显著改进材料的质量 ,这种作用被归之于氢气氛下氨气在...
[期刊论文] 作者：张昊,吴玉喜,韩龙,顾书林,渠立成,李腾,
来源：原子与分子物理学报 年份：2004
本文采用基于第一性原理的密度泛函理论(DFT)平面波超软赝势方法,研究了纤锌矿ZnO及不同浓度Se掺杂ZnO合金的晶体结构和电子性质,在对Se掺杂结构优化的基础上对其进行了数值...
[期刊论文] 作者：杨铮,施毅,顾书林,沈波,张荣,郑有炓,
来源：物理 年份：2004
简单回顾了碳纳米管的电学性质以及各种基于碳纳米管的电子器件,对最新发现的碳纳米管的双极型性质也作了简单报道,着重讨论了由碳纳米管构成的逻辑电路,阐明了碳纳米管电子...
[期刊论文] 作者：何宇亮, 刘力勇, 顾书林, 魏盛恩, 戎霭伦,,
来源：固体电子学研究与进展 年份：1991
对使用磁控溅射法沉积的钨薄膜进行了热退火研究.指出,在低于300 ℃的退火温度范围内钨膜的结构和电学性质是不稳定的....
[期刊论文] 作者：吴玉喜, 胡智向, 顾书林, 渠立成, 李腾, 张昊,,
来源：物理学报 年份：2004
采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波超软赝势方法,计算了未掺杂ZnO和稀土(Y,La)掺杂ZnO体系的空间结构、能带、电子态密度与光学性质.结果表明,掺杂后体系的形成能减小,...
[期刊论文] 作者：谢自力, 张荣, 毕朝霞, 刘斌, 修向前, 顾书林, 江若琏,,
来源：微纳电子技术 年份：2004
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[期刊论文] 作者：叶建东,顾书林,王立宗,张荣,施毅,郑有炓,
来源：半导体学报 年份：2002
利用喇曼光谱和光致发光谱 ,对采用氢化气相外延淀积方法在MOCVDGaN衬底上生长的掺碳GaN样品的光学性质进行了研究 .结果发现C3H8流量的增加导致载流子浓度的升高 ,喇曼谱出...
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