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三子带模型相关论文
半导体单量子阱中等离激元性质的研究
GaN材料是研制微电子器件、光电子器件的新型半导体材料,对它的研究与应用是目前全球半导体研究的前沿和热点。同时元激发的性质是......
学位
等离激元
GaN
集体激发
二子带模型
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