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与时间有关的介质击穿(TDDB)相关论文
高温氢气退火提高硅片质量的研究
研究了硅片高温氢气退火的工艺技术,实验显示,在高温1150℃,在高纯氢气氛中退火处理至少60min,在硅片表面产生约50μm以上的洁净层......
期刊
高温氢退火
氧沉淀
晶体原生颗粒(COP)
氧化层错
与时间有关的介质击穿(TDDB)
high temperature annealing in hydrog
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