低温度系数相关论文
全MOS电压基准源因其兼容CMOS工艺、可在低压情况下高效高性能地工作等优点,被广泛应用于数模混合电路。然而,在系统应用中电路较......
最近几年随着网络的普及信息技术的发展,各种电子产品迅速发展,对电源管理类的芯片的需求也急剧增长起来。电源管理芯片是电路系统......
根据银纹厚度随温度的变化,改变火药燃烧面和建立一个补偿系统,使变燃速发射药具有低温度系数.通过扫描电镜观察变燃速发射药的微......
研究了吸收与未吸收硝化甘油（ＮＧ）这两种包覆单基发射药在老化过程中力学性能与界面粘接强度的变化规律，实验结果表明，吸收了ＮＧ的单基药能明......
采用高频磁控溅射研制出的Cr-Si薄膜,方阻为500Ω/□～5kΩ/□,TCR小于50×10~(-6)/℃,并在生产中得到应用。
The Cr-Si film devel......
设计了一款低温度系数的自偏置CMOS带隙基准电压源电路,分析了输出基准电压与关键器件的温度依存关系,实现了低温度系数的电压输出......
烧结钕铁硼永磁材料以其高能积、低价格和良好的加工性能而获得了迅速的推广应用。随着其应用领域的扩大，对其综合性能的要求也越来......
钕铁硼永磁材料以其优异的磁性能获得广泛的应用。目前的研究主要在于改善磁体的温度性能（提高居里温度，降低温度系数，减少不可逆损失......
1DS18B20的工作原理DS18B20的读写时序和测温原理与DS1820相同，只是得到的温度值的位数因分辨率不同而不同，且温度转换时的延时时间......
设计了低温度系数、高电源抑制比BiCMOS带隙基准电压发生器电路．综合了带隙电压的双极型带隙基准电路和与电源电压无关的电流镜的优......
分析了低温感发射装药燃烧过程，根据爆发器定容燃烧试验结果，阐明了火炮产生低温单发跳差的主要原因，叙述了一种消除低温单发跳差的装......
为研究聚二甲基丙烯酸已二醇酯（D1）钝感的单基发射装药的低温度系数机理，在不同温度条件下，采用动态机械分析仪、材料试验机等研究了D1......
基于TSMC0.18μm标准CMOS标准工艺，提出了一种低温度系数，宽温度范围的带隙基准电压电路，该电路具有高电源抑制比，启动快及宽电源电压......
设计了一种基于电流模式的低温度系数参考电压源,并采用具有不同温度系数的电阻来补偿三极管的基极-发射极电压的温度特性非线性,......
运用带隙基准的基本原理，采用0．6μm的CMOS工艺，对一个低压高阶曲率补偿的高性能CMOS带隙基准电压源进行研究，并结合所提出电路给出了......
在对传统的CMOS带隙电压基准源电路的分析和总结的基础上,集合一级温度补偿、电流反馈技术,提出一种可以在低电源电压下工作,同时......
为了满足IC设计中对基准电源低功耗、低温度系数、高电源抑制比的要求，设计一种带隙基准电压源电路。在对传统带隙基准结构分析的基......
在此通过对带隙基准电压源电路进行建模分析,针对逆变电路的中低频使用环境,设计了一个应用于高压逆变器电路中的高电源电压抑制比......
介绍了供贮存和试验现场测量需要的便携式温湿度测量仪的工作原理、标定方法及测试结果，并对湿度仪的温度系数及其补偿进行了讨论。......
本文采用0.18μm标准CMOS工艺,设计了微功耗CMOS电压基准电路。该基准电源电压可低至0.9V,功耗为0.8uA,输出基准电压为0.7V。在-20......
通过对当前已有的两种低温漂带隙电压源进行分析和总结，提出了一种新型温度补偿技术。采用双端分段非线性补偿、对数项消除技术以及......
高精度的2．5V基准电压对数字电压表、电源系统以及运算放大器有着重要的作用。在分析比较各种基准电压源性能的前提下，最终选择了以......
介绍了一种基于CSMC 0.5-μm 2P3M n-阱混合信号CMOS工艺的高阶温度补偿的带隙参考源。该CMOS带隙参考源利用了Buck电压转换单元和......
利用两个工作在亚阈区的MOS管的栅源电压差ΔVGS产生高阶补偿量，对传统的BJT带隙基准源进行高阶温度补偿。设计一种基于ΔVGS高阶温......
本文提出了一种带运放失调电压补偿结构和分压式二阶曲率补偿结构的低温度系数带隙基准电路。设计目标为对便携设备提供0．8V的电压......
采用外补偿法改善Nd-Fe-B永磁材料的磁性能温度稳定性.讨论了磁温度补偿合金与永磁体组合后的磁性能和温度稳定性的表征.研究表明:......
提出了一种通过沟道长度调制效应进行二阶温度曲率补偿的CMOS带隙基准电压源，并分析了这种结构实现二阶温度曲率补偿成立的条件。采......
本文设计一种低温漂系数的电压可调式CMOS带隙基准电压源,与传统的CMOS带隙基准电压源相比,该电压源不仅能生成1.24V的标准带隙基......
单片集成智能功率模块,因其集成度高、功耗低、可靠性高等特点,在低功耗和高可靠性的电力电子应用系统中有着广泛的应用。由于其工......
提出了一种利用多晶硅电阻的温度系数补偿负温度系数电压实现低温度系数的带隙基准电路，并且引入由二分频时钟控制的CMOS开关，使产生......
利用溶胶-凝胶柠檬酸盐自燃烧法(sol-gel auto-combustion)制备出了低温度系数(αμ=0.2×10-6/℃)的高磁导率(μi=6500)纳米......
基准电压源是模拟芯片和数模混合芯片中至关重要的单元,为芯片的其他电路提供精确稳定的电源,从而保证芯片良好的整体性能。带隙基......
提出了一种新型的低功耗亚阈值型CMOS带隙基准电压电路.该电路在不增加工作电源电压的情况下具有低功耗、低温度系数和高可靠性的......
在0.18μm标准CMOS工艺模型下,利用亚阈值及深线性区MOS管的特性,设计了一种新颖的偏置电流产生电路,并采用此电路设计出一种具有......
本文通过与传统的POR电路的比较,借鉴PTAT电压的原理,基于电平检测的思路提出了一种简单可靠的POR电路,最后使用Candence HSPICE仿......
带隙基准电路是集成电路系统中一个非常重要的构成单元。随着集成电路系统的规模越来越大,集成电路系统对带隙基准电路的温度系数......
采用两个三级管基极一发射极串联的带隙基准可以降低运放失调电压的影响，但是在CMOS工艺中，三级管的正向电流放大倍数B很小，导致三极......
基于传统基准电流源结构,增加了一条负反馈支路,将片上电阻的温度系数、晶体管载流子的温度系数与晶体管阈值电压的温度系数相互抵......
针对移动设备低功耗的要求,基于GSMC 0.18μm CMOS集成电路工艺,设计了一种新型无片外电容低压差线性稳压电路.在传统结构的基础上......
设计了一种由松质球扁药和密质球扁药组成的低温度系数装药,其温度系数由混合药中松质药的含量控制.在不同温度下,用密闭爆发试验......
提出了一种基于光子晶体光纤Sagnac干涉仪的横向压力传感器。使用的光子晶体光纤为低双折射光纤,首先预先在Saganc环中的光子晶体......
ue＊M＃’＃dkB4＃＃8＃”专利申请号:00109“7公开号:1278062申请日:00.06.23公开日:00.12.27申请人地址:（100084川C京市海淀区清华园申请人:清......
在分析传统Brokaw结构带隙基准电路的基础上,采用分段曲率补偿技术,结合电阻修调技术,实现了一个高精度带隙基准电压源。基于HHNEC......
在0.18μm标准CMOS工艺模型下,利用亚阈值MOS管以及深线性区MOS管的特性,设计了一种全MOS型基准电压源。该基准源不使用电阻,具有......
分析了工作在亚阈值区、线性区和饱和区的MOS晶体管不同电流特性,设计了一种低功耗全MOS基准电压源电路。使用工作在线性区的MOS晶......
近年来,移动通讯终端设备正在微型化、可集成化、高可靠性等诸多方面得到迅猛的发展。这将对微波介电陶瓷材料提出了更大的挑战,因......
火炮装药温度系数的存在严重影响其内弹道性能,通过降低发射药燃速温度系数可以降低火炮装药温度系数。本文采用在单基药基体中添......
随着半导体产业的发展,集成电路不断融入到人们生产生活的方方面面。同时,随着技术的不断进步,人们对集成电路的性能要求也越来越......
