光刻模拟相关论文
采用SU-8光刻胶的紫外光刻技术是MEMS领域的重要微细加工技术,它克服了普通光刻胶深宽比不足的问题,十分适合于制造超厚、高深宽比......
描述了激光线宽对光刻过程的影响模型建立过程中所使用的方法。成像透镜产生的色差结合实际激光光谱可以把激光线宽的影响包括在光......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
针对光刻工艺模拟,首次建立了光刻胶刻蚀过程模拟的2-D动态元胞自动机(CA)模型,通过制定规则来确定模拟过程中不断更新的表面元胞,......
讨论了亚波长光刻条件下的离轴照明和次分辨率辅助图形两种分辨率的增强技术，分析了两种技术的原理，利用光刻模拟软件，针对不同线宽的......
为了使光刻结果更好地符合版图设计,保证在硅片上制造出的电路在功能上与设计电路一致,提出了一种对掩模进行自动补偿的系统性技术......
针对光刻工艺模拟,首次建立了光刻胶刻蚀过程模拟的2-D动态元胞自动机（CA）模型,通过制定规则来确定模拟过程中不断更新的表面元胞,使......
在集成电路光刻过程中，利用光刻模拟软件将光刻模拟结果与设计模板进行比较可以预先发现模板设计中的缺陷．由于光刻模拟软件与模板设......
针对亚波长光刻条件下标准单元设计中可能遇到的与物理设计相关的可制造性问题，提出了新的工艺规则和解决方法设计标准单元库。使用......
随着制造工艺尺寸的缩小，可制造性不只是工厂需要关注的问题，更是设计者需要考虑的重点，从而提高良率和版图面积的利用率。为了使设计......
计算模拟了激光束和电子束直写加工的掩模畸变,并分别用理想掩模和有畸变的掩模进行投影光学光刻过程的模拟和比较,讨论了光学邻近......
基于3D元胞自动机方法实现了影像成形、曝光、后烘和光刻胶刻蚀过程等集成电路和微电子机械系统加工过程中的光刻过程模拟模块的集......
基于DILL经典曝光模型，对其分别在深度轴和时间轴上进行扩展：在深度轴上，以基尔霍夫衍射公式为基础，引入复折射率，利用光束传输法的思想......
综合了SU-8胶光刻过程中衍射、反射、折射、吸收率随光刻胶深度的变化及交联显影等各种效应,考虑了折射及吸收系数随时间的变化,建......
在Ferguson的负性化学放大胶(CAR)后烘反应动力学模型基础上,增加了后烘过程中光致酸扩散模型,通过后烘模型的简化,得到了简化的后......
在集成电路的规模变得越来越大的今天，具有开发周期短、开发成本低和可靠性高等优点的专用集成电路(ASIC)得到了越来越快的发展，这中......
随着集成电路进入超深亚微米阶段,半导体制造工艺中广泛采用了亚波长光刻技术,导致光刻后硅片表面实际印刷图形和掩模图形不再一致......
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