使用MOCVD工艺在单晶硅衬底(111)面上异质外延六方GaN.利用光学显微镜、原子力显微镜(AFM)、扫面电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)......

利用衍衬、SAED、HRTEM对在(111)Si上外延生长的六方GaN进行了观察分析.GaN外延层与缓冲层和基底的取向关系为(0001)GaN//(0001)Al......

用基于密度泛函理论平面波超软赝势法对六方GaN空位型本征点缺陷进行了理论研究.计算了GaN、Ga0.875N,Ga0.750N,GaN0.875和GaN0.75......