分子束外延法相关论文
用分子束外延法将ＧｅＳｉ／Ｓｉ超晶格结构生长在ｎ＋／ｎＳｉ材料上，先后用反应离子刻蚀法形成探测器波导和硅脊波导，经适当工艺实现硅波导与ＰＩＮ探测器之间的光电......
单晶薄膜在电子学领域里的必要性是越来越明显了。例如对于现在使用的半导体器件,如能采用优质单晶薄膜,其性能将会得到很大的改......
对ＧｅｘＳｉ１－ｘ／Ｓｉ应变超晶格雪崩光电探测器进行了分析与优化设计，优化结构为：ｉ－Ｓｉ雪崩区厚是１．８～２μｍ；ｐ－Ｓｉ区的掺杂浓度是１０＾１８ｃｍ＾－３厚为１７ｎｍ超晶格总厚为３４０ｎｍ，它可探测１．３～１．６μｍ的红外光。......
近年来,随着微型制品和高密度集成电路的迅速发展,薄膜材料的应用日益广泛。同时,超导薄膜以其超导态时响应速度快,灵敏度高,处理......
利用分子束外延(MBE)方法在Si(001)朝向<110>偏80的衬底上制备出面内GeSi纳米线阵列。在GeSi纳米线阵列样品表面蒸镀铝电极并退火,......
利用常规分子束外延开展单晶金原子台阶标准样品的制备,制备的样品通过扫描隧道显微镜(STM)测试发现,原子台阶数量较少且台阶高度......
对GaN样品薄膜进行了喇曼背散射几何配置下的喇曼散射测试与分析 ,其样品分别是在不同衬底上以金属有机物气相沉积 (MOCVD)法和分......
期刊
VO_2是一种相变温度为68℃接近室温的热致相变材料,具有十分广泛的潜在应用价值,自从被发现以来针对它的研究就从未停止。如何使用......
Self-organized In0.5Ga0.5As/GaAs quantum island structure emitting at 1.35 μm at room temperature has been successfully......
用X射线双晶衍射(XDCD)法测得分子束外延(MBE)法生长的CdTe/Cd0.959Zn0.041Te(112)B异质结的倾斜角为0.2185°，而且朝［1-1-1］晶体......
用X-射线衍射测定了分子束外延(MBE)法生长的Hg1-xCdxTe-HgTe超晶格样品在(001)附近的扫描徊摆曲线,并用动力学理论模拟计算出衍射......
本文系统地对于DMS的发展历史及研究现状进行了归纳总结,介绍了稀磁半导体特殊性质和机理,概述了目前DMS材料的制备方法,并对于DMS......
<正> 最早发表有关化合物半导体分子束外延(简称MBE)的论文大约是五年前的事。之后,贝尔实验室及国际商业机械公司对分子束外延进......
本文报导了用分子束外延法制备的低电流阈值室温注入GaAs-AlxGa1-xAs多量子阱（MQW）激光器。在脉冲电流注入情况下,在阈值观察到了属......
