基于SiC衬底0.25 pm GaN HEMT工艺,设计实现了一款C波段、高效率和高线性的单片微波集成电路(MMIC)功率放大器.通过优化电路匹配结......

基于SMIC 0.18μm RF CMOS工艺,设计了一款1.95 GHz的Doherty功率放大器。为了保持两路功放相位最大一致性,主功放（PA1）和辅功放（PA2）......

为了解决F类和逆F类(F-1类)功率放大器设计过程中受晶体管寄生参数影响,导致功放效率低以及输出匹配电路结构复杂的问题,提出了一......

基于0.15μm GaAs增强型赝配高电子迁移率晶体管(E-PHEMT)工艺,研制了一款用于5G通信和点对点传输的高性能线性功率放大器单片微波......

基于传统两路反向Doherty(Inverted Doherty PowerAmplifier,IDPA)在回退点处效率较低的缺点,提出了双向牵引技术与共轭匹配技术联......

F类功率放大器在微波领域具有良好的应用前景,受到业内特别关注。F类功放在宽带条件下要较好地抑制谐波和处理寄生参数是很困难的,......