动力学蒙特卡罗相关论文
论文研究了基于动力学蒙特卡罗法建立单晶硅湿法腐蚀精确仿真计算模型的关键技术，依据己发表文献中和已有的实验数据，利用蒙特卡罗计......
先进的能源系统具有高度复杂性和多尺度现象的特点,并要求具有极高效率和近零排放。一般情况下,应用于宏观现象的连续性数学描述在......
基于微观、介观等细微尺度的模拟方法如动力学蒙特卡罗(KMC)方法、格子玻尔兹曼方法(LBM)和分子动力学(MD)方法等是揭示复杂物理化......
建立了Si(100)-(2×1)表面上Si薄膜生长的Kinetic Monte Carlo(KMC)模型,并对薄膜生长的初始阶段进行了研究.结果表明:在一定的入......
本文在分析表面扩散各向异性、二聚体和二聚体列影响的基础上,建立了Si(100)-(2×1)表面上Si薄膜生长的K inetic Monte Carlo(KMC)......
建立超薄膜Si外延生长的晶格一动力学蒙特卡罗模型，并应用该模型模拟了Si原子在Si（111）基底上外延生长的过程．系统研究了沉积时间、基......
为深入理解生长因素及应变对量子点形成的影响,科研工作者采用动力学蒙特卡罗方法对量子点的生长进行了大量研究.简要概括了采用动......
为更好研究GaN材料的生长机理，提出了一种在金属有机物化学气相淀积系统中生长GaN的化学反应生长模型，并结合动力学蒙特卡罗方法模拟......
结合第一性原理计算和动力学蒙特卡罗模拟研究了稀磁半导体（Ga,Mn）As中Mn杂质的沉积动力学规律。利用第一性原理计算和爬坡弹性带方......
建立了沿Si（100）方向外延生长亚单层Si薄膜的动力学蒙特卡罗模拟模型，对二维Si薄膜的生长过程及二维Si岛的形貌演变进行了研究。结果......
电荷和自旋是电子两个重要的内禀属性。半导体自旋电子学正是利用半导体中的电子自旋和电荷两个自由度,对信息进行加工处理。在半......
根据钙钛矿结构的特点，提出了一种基于双格子系统的动力学蒙特卡罗KMC方法（kineticmontecarlo）。与传统的SOS（solid-on-solid）模型不同，......
本文以扩散理论为基础,利用KMC模拟方法,考察了温度对薄膜生长速率和表面形貌的影响以及生长表面的粗糙化相变过程。模拟表明,温度......
近年来,在单芯片上集成纳米功能单元的能力成为衡量半导体纳米技术发展的一个重要标志。半导体纳米结构(量子点、量子环、纳米线等......
纳米材料因其独特的力学性能成为材料界研究的热点，特别是晶粒尺寸对力学性能的影响备受关注。本研究的目的是根据不同晶粒尺寸所对......
近年来,在半导体纳米技术领域中,与量子点(QD)等半导体纳米单元结构功能相关的量子点生长制备技术及其光电器件的应用成为了研究热......
随着科学技术突飞猛进式的发展进步以及人们对未来的半导体光电子器件在对其运算处理速率、低功耗和微型化等方面越来越高的诉求,......
通过化学气相沉积方法,可控合成所需层数的二硫化钼仍然是一个挑战。因此,建立一个能够定量预测单层和多层二硫化钼生长的理论模型......
建立了弹道入射的薄膜三维蒙特卡罗形貌仿真模型，模拟了倾斜沉积情况下柱状薄膜的生长形貌，研究了沉积角度对柱状薄膜形貌的影响．通过......
