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单源真空蒸发相关论文
单源真空蒸发法制备ZnSe薄膜的实验研究
本文采用单源真空蒸发法制备了ZnSe薄膜,利用电子探针、X射线粉晶衍射等现代测试手段研究了蒸发温度(700-1050℃)、基片温度(0-200℃)......
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单源真空蒸发
ZnSe薄膜
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X射线粉晶衍射
single source vacuum evaporationZnSe thin filmEMPAXRD
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