原位水气生成相关硕士博士期刊学术论文 - 搜论网

原位水气生成相关论文

ISSG及其氮化工艺对NBTI效应的改善

本文在对ISSG工艺特性简单分析的基础上讨论了ISSG氧化物薄膜的可靠性问题。讨论了ISSG工艺及其相关的氮化工艺对NBTI的改善原理。......

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原位水气生成负偏压温度稳定性氮化氧化薄膜晶圆 ISSG NBTI Nitridation Gate oxide Wafer

一种提高栅氧化物介电常数的方法

从90nm技术节点开始，等离子氮化SiON栅氧化层被广泛用作先进的CMOS器件制造。作为传统SiO2栅氧化层的替代材料，SiON栅氧化层因其具有......

期刊

原位水气生成氮含量介电常数界面态负偏压不稳定性

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