反应磁控溅射法相关论文
二氧化钛薄膜作为光催化的理想材料，在环保领域有巨大的应用潜力，目前已经得到了广泛的研究。但由于TiO2为宽禁带半导体，对太阳光的利......
作为中红外窗口的最佳材料,蓝宝石拥有优异的物理性能及化学性能。鉴于目前国内单晶蓝宝石制备及加工的水平有限,以及蓝宝石高温下......
ZnO具有3.37 eV的直接宽禁带,在室温下有相当高的激子束缚能(60 meV),是潜在的电致紫外发光器件的半导体材料。当ZnO与CdO形成合金......
本论文采用反应磁控溅射法制备了ZrN单层膜,ZrSiN、ZrCN、ZrVN、ZrVCN复合膜以及ZrCN/VN纳米多层膜。采用XPS、EDS、XRD、SEM、AFM......
本文采用反应磁控溅射法成功地制备了TiO2薄膜样品，研究了沉积条件对薄膜结构特性的影响，得到了反应磁控溅射法沉积TiO2薄膜的最......
ITO导电膜是指采用磁控溅射的方法（ITO薄膜的制备方法有蒸发、溅射、反应离子镀、化学气相沉积、热解喷涂等，但使用最多的是反应磁控......
采用反应磁控溅射法结合加热控温电源,在光学玻璃基底上制备氮化铝(AlN)薄膜,通过X射线衍射(XRD)技术对薄膜样品物相结构进行分析,......
以高纯石墨作靶、CHF3/Ar作源气体采用反应磁控溅射法制备出了氟化类金刚石(F-DLC)薄膜.拉曼光谱表明,CHF3相对流量的增加会引起薄......
采用纯钇（Y）金属靶,在氧＋氩反应气氛中进行了Y2O3薄膜直流反应磁控溅射沉积。研究了工艺参数改变对薄膜的影响,选择较优的工艺在金刚......
利用反应磁控溅射制备AlN薄膜,研究了基底负偏压对薄膜结构及其性能的影响.XRD和SEM结果表明：用此方法获得的AlN薄膜呈晶态,负偏压......
作为中红外窗口的最佳材料,蓝宝石拥有优异的物理性能及化学性能。鉴于目前国内单晶蓝宝石制备及加工的水平有限,以及蓝宝石高温下......
摘要：采用纯铪（Hf）金属靶，在氧＋氩反应气氛中进行了HfO2薄膜直流反应磁控溅射沉积。首先在单晶硅片上沉积薄膜，研究工艺参数改变对薄膜的......
采用射频反应磁控溅射系统制备氮化铝(AlN)薄膜,通过实验测试并结合数值拟合计算研究了工作气压对其结构和光学性能的影响。结果表......
WO3 薄膜是一种重要的功能材料,因具有良好的电致变色、气致变色、光致变色、电化学性能而得到广泛的研究和应用,尤其是其气致变色......
