多晶硅发射极相关论文
采用Matlab数字分析方法,结合多晶硅发射极双极器件基极电流的构成情况,阐述了不同理想因子电流成分分离的基本原理和数学方法.利......
报道了一种高增益高效率 S波段硅脉冲功率晶体管的研制结果。该器件在 f=2 .4～ 2 .6GHz,D=1 0 % ,τp=1 0 0 μs,Vc=36V条件下输出......
研究了砷注入多晶硅发射极晶体管的直流特性,并与采用常规平面工艺制作的晶体管性能进行了比较.结果表明多晶硅发射极晶体管具有较......
异质结光敏晶体管(HPT)是一种具有内部电流增益的光电探测器,且与异质结双极晶体管(HBT)的制作工艺完全兼容。利用超高真空化学气......
研究了掺砷多晶硅发射极 RCA晶体管的工艺实验技术 .以先进多晶硅发射极器件制备工艺为基础 ,在淀积发射极多晶硅之前 ,用 RCA氧化......
介绍了一种快速电压变换器的电路、版图及工艺设计.该电路采用多晶硅发射极自对准工艺制作,获得了小于50 ns的输入输出延迟时间.该......
研制了一种平面集成多晶发射极SiGeHBT。经测量，在室温下电流增益β大于1500，最大达到2800，其Vceo为5V，厄利（Early）电压VA大于10V，pVA乘积......
给出了E-B之间复合介质L型侧墙的形成技术。这种工艺技术控制容易，成品率高，均匀性好。已将这种工艺技术应用于双层多晶硅双极晶体管......
研制了一种平面集成多晶发射极SiGe HBT。经测量，在室温下电流增益β大于1500，最大达到2800，其Vceo为5V，厄利（Early）电压VA大于10V，βVh乘......
以双多晶自对准互补双极器件中NPN双极晶体管为例,阐述了发射极电阻提取的基本原理和数学方法。在大电流情况下,NPN管的基极电流偏......
在简要分析多晶硅发射极双极晶体管特点的基础上,根据国内现有的双极工艺水平,设计了用于制备多晶硅发射极双极晶体管的工艺流程,......
现代通信发展对半导体器件的要求日渐提高,而且由于现代通信对高性能和低成本的RF器件的需求,传统的Si材料器件无法全部满足这些性......
本文讨论了掺杂多晶硅发射极工艺技术中的关键影响因素：LPCVD条件、多晶硅股厚、前处理方法、多晶硅膜形成以后的运火状态，并给出了......
本文主要对高频器件多晶硅发射极工艺进行了研究,对其制作工艺、主要工艺参数进行了研究和优化,并通过优化结果,成功地开发出一套......
本文报导了２μｍ高性能单层多晶硅双极器件及工艺。为了改善器件性能，对基础工艺的改进和完善作了试验，如减少外延自掺杂及缺陷；改善ＥＣ漏电......
本文介绍一种高性能2.0umBiCNIOS工艺.该工艺采用P型衬底,N型P型双埋层,N型薄外延结构,掺杂多晶作为CMOS晶体管栅极和双极晶体管的......
随着现今通信技术的迅猛发展,对半导体各类器件的要求日益增高,而且由于现今通信技术对高频带下高性能以及低成本的射频(RF)组件的......
报道了具有先进双极关键技术特征的多晶硅发射极集成电路的工艺，重点介绍了用难熔金属氮化物（ZrN)作为新的刻蚀掩模实现器件的硅深槽......
