子电路模型相关论文
从VDMOS的物理结构出发建立子电路模型,进而导出描述其交直流特性的参数及模型公式.相对以往文献的结果,该模型避免了过多工艺参数......
神经MOS晶体管(简称NeuMOS)是最近才发明出来的一种高功能度的多输入多阈值的新型MOS器件.在其十年的发展历程中,一些新型结构又被......
文章提出了一种基于子电路的IGBT模型,并对IGBT的温度特性进行模拟.用电压控制的可变电阻等效IGBT的宽基区调制电阻取得了很好的效......
采用CAD技术和典型双极工艺完成模拟乘法器集成电路研制后建立了器件子电路模型,并添加到PSpice模型库中。在设计电路时,用户可以......
高压MOS器件具有复杂和特殊的结构,存在自热效应与沟道长度调制效应.这些效应使饱和区电流会随电压的增加而减小,即存在负阻效应.......
大功率晶闸管以其高电压、大电流的特点在大容量系统中应用非常广泛。依据大功率晶闸管外特性利用Matlab／Simulink构建了一种晶闸管......
在分析高频功率脉冲变压器物理结构及工作特性的基础上，建立了子电路模型。与理想变压器不同，高频功率脉冲变压器通常工作于高频状态......
从 VDMOS的物理结构出发建立子电路模型 ,进而导出描述其交直流特性的参数及模型公式 .相对以往文献的结果 ,该模型避免了过多工艺......
随着高频无线通讯市场快速发展，高性能低成本的射频设计方案的需求也在增长。由于寄生参数偏置相关性和几何尺寸上可伸缩性的需求，以......
