容性耦合等离子体相关论文
通过表面处理来改善金属部件摩擦面的耐磨耐腐蚀物理性能,是具有重大技术需求的课题;将辉光放电等离子体技术与非金属陶瓷合金结合......
直流偏置能较好抑制射频容性耦合等离子体（radio frequency capacitively coupled plasma, RF-CCP）表面充电效应，但仍存在其对RF-CCP......
近年来低温容性耦合等离子体广泛地应用于工业,尤其是在微电子工业领域,相关技术日渐成熟。容性耦合等离子的放电特性是推动大规模......
射频容性耦合等离子体（Radio Frequency Capacitively Coupled Plasmas,RF CCPs）被广泛地应用在刻蚀和薄膜沉积等半导体集成电路制造......
低温等离子体技术在半导体工业中发挥着不可替代的作用,尤其是容性耦合等离子体（Capacitively Coupled Plasma,CCP）源已经广泛地应用......
在超大规模集成电路制造工艺中,有近三分之一的工序用到低温等离子体技术,如材料刻蚀、薄膜沉积等。在实际工艺中,一般采用复杂的......
低温等离子体尤其是低气压射频激发的等离子体,因其具有高电子密度和低离子轰击能量的特点而被广泛用于薄膜生长、基片刻蚀和材料......
容性耦合等离子体(CCP)被广泛地应用于微电子制造工业的刻蚀、薄膜沉积和其它表面处理工艺中。在刻蚀工艺中，反应腔室内的等离子体......
在现代半导体行业中，低温等离子体常应用于薄膜生长、基片刻蚀和表面改性等。相比于感应耦合等离子体源而言，容性耦合等离子体源的结......
低气压容性耦合等离子体(CCPs)广泛应用于半导体和微电子工业中，其中的多道工序，诸如薄膜的刻蚀、沉积以及表面处理等都离不开等离子......
低气压下的容性耦合等离子体(CCP)技术在现代微细加工过程中发挥着重要作用。在半导体工业生产中，需要对薄膜进行各向异性刻蚀。基......
低温等离子体工艺已经被广泛应用于微电子、印刷电路板封装、材料处理、航空及医学工业等工业领域。在实际生产中，随着被处理样品尺......
容性耦合等离子体被广泛地应用于半导体工业中,如薄膜沉积、材料刻蚀以及表面处理等。众所周知,在容性耦合等离子体放电中,较高的......
容性耦合等离子体放电因在工业界有重要的应用价值而受到广泛关注.对于容性耦合等离子体放电的研究主要集中于对等离子体参数的控......
利用流体模型模拟和发射光谱实验诊断相结合的方法,研究了中等气压、中等功率下射频容性耦合等离子体的放电特性。理论上,采用基于......
低气压容性耦合等离子体(Capacitively Coupled Plasmas,CCP)已经广泛应用于微电子加工工业的材料刻蚀及薄膜沉积工艺中。全世界各......
半导体工业领域中，CCP，即容性耦合等离子体（Capacitively CoupledPlasmas）和ICP，即感应耦合等离子体（Inductively Coupled Plasmas）被广泛......
研究了不同放电参数（功率、气压、频率）下容性耦合氩等离子体中电子温度以及电子密度的变化规律.电子温度和电子密度的测量由双探针......
空间中等离子体环境对航天器与地面无线传输信号产生了很大的影响,目前国内外对等离子体电磁科学问题的研究还一直在深入,关于如何......
电容耦合等离子体(capacitively coupled plasma CCP)因其可以产生大面积等离子体,装置简单,容易控制,已广泛应用于薄膜沉积与等离......
容性耦合等离子源(Capacitively Coupled Plasmas, CCP)是半导体制造工艺中不可或缺的设备,通常CCP放电具有以下优势：放电腔室简单......
低温等离子体的表面处理技术在半导体制造业中起着极为重要的作用,等离子体的均匀性和刻蚀速率的提高不仅可以降低成本,还有利于生......
用CFD-ACE＋和CFD-TOPO分别对容性耦合等离子体反应腔室放电和等离子硅刻蚀过程进行仿真,讨论不同射频电压和腔室条件对等离子体特性......
使用高分辨的等离子体发射光谱系统（OES）研究了射频驱动的容性耦合Ar等离子体的空间光谱分布特性.实验结果表明,等离子体发射强度的......
低温等离子体尤其是低气压射频激发的等离子体,因其具有高电子密度和低离子轰击能量的特点而被广泛用于薄膜生长、基片刻蚀和材料......
低温等离子体放电技术被广泛应用于半导体集成电路工艺中,比如刻蚀、去胶、沉积、清洗和掺杂等工艺过程。在实现对这些工艺过程的......
双频容性耦合等离子体（dual frequency capacitively coupled plasma DF-CCP）是近年来发展起来的一种新型的等离子体源。由于其采用......
ue＊M＃’＃dkB4＃＃8＃”专利申请号:00109“7公开号:1278062申请日:00.06.23公开日:00.12.27申请人地址:（100084川C京市海淀区清华园申请人:清......
利用CF4射频容性耦合等离子体对硅橡胶进行表面双疏改性，用XPS技术分析了处理后硅橡胶表面成分变化，并利用接触角测量研究了表面疏水......
双频容性耦合等离子体（DF-CCP）可以有效地处理材料，用于制造超大规模集成电路而备受关注。通过DF-CCP和感应耦合等离子体（ICP）有效结合，......
基于等离子体技术的物理气相沉积(Physical Vapour Deposition, PVD)和化学气相沉积(Chemical Vapour Deposition, CVD)是目前低温......
容性耦合射频(CCRF)放电可用于制备大体积、均匀、低温非热平衡等离子体,已得到了国内外的广泛关注。针对CCRF放电过程中等离子体......
光伏产业的发展伴随着太阳能电池片效率的进一步提升。多晶硅片在做成电池片之前往往要经过表面制绒的步骤，以降低太阳光线在表面的......
在超大规模集成电路的生产工艺中,采用射频容性耦合等离子体刻蚀技术可以实现各向异性的刻蚀过程,因此对射频等离子体的研究引起了......
容性耦合硅烷混合气体放电在沉积与芯片相关的硅基薄膜中具有至关重要的作用。研究容性耦合硅烷等离子体特性以及其放电化学反应机......
容性耦合等离子体（CCP）源具有结构简单、能够产生大面积的等离子体等优势,被广泛应用于材料处理工艺,比如半导体制造业和平板显示器......
低温等离子体技术在半导体制造工艺中发挥着重要的作用。由于容性耦合等离子体源(Capacitively Coupled Plasmas, CCP)具有结构简......
射频容性耦合等离子体(Radio-Frequency Capacitively Coupled Plasmas,即RF-CCP)放电技术已广泛地应用于半导体芯片刻蚀和薄膜工......
等离子体增强化学气相淀积(plasma enhanced chemical vapor deposition PECVD),是沉积薄膜的一种工艺。该工艺使用微波、射频或直......
低气压下的容性耦合等离子体源(Capacitively Coupled Plasma,CCP)具有装置结构简单和成本经济的优点,被广泛应用于微电子工业中。......
采用发射光谱诊断技术研究功率对氩气和氧气激发态光强的影响,并结合光刻胶的刻蚀速率来论证这种光谱诊断的可行性,并应用该诊断方......
低温等离子体放电技术已广泛地应用于半导体芯片刻蚀和薄膜沉积工艺中。工艺腔室中等离子体状态的变化在很大程度上要受到多个外界......
