传统的共振隧穿二极管的多峰值负微分电阻器件的峰值数目受到限制 ,由单电子器件和传统的金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)......

传统的A D转换器结构复杂 ,利用一种改进的V PADOX工艺可以制成性能均匀的互补的单电子晶体管 ,工艺重复性好 .用互补SET对结构实......

阐述了SETMOS的结构、特性及应用.基于正统理论,分析了几种仿真混合SETMOS电路模型各自的优缺点,并给出了改进的MIB模型的仿真方法......

提出了一种应用PSpice仿真SET的方法,该方法通过所设计的宏模型可实现SET的基本特性仿真.仿真结果表明,所设计的宏模型具有合理的......

文章基于单电子晶体管SET（Single Electron Transistor）出了一个A／D转换电路．这种电路完全利用了SET库仑振荡效应，能够在室温度下正常工......

设计了点接触平面栅型硅单电子晶体管，利用自对准技术实现了点接触平面栅，并通过给平面施加偏压实现了量子点。讨论了点接触平面栅型......

为了增强单电子晶体管中栅极和沟道量子点之间的耦合度，提高增益调节系数，发展了结合预制控制栅、电子束直写、各向异性腐蚀和热氧化......

量子点作为实现量子计算的一种可能方式之一,受到了很多科研工作者的关注。本文主要对二维类石墨烯层状材料上的量子点在低温环境......

本文研究、优化了浮动催化化学气相沉积法制备单壁碳纳米管的生长参数,可控地制备出几种不同形貌的单壁碳纳米管并开展了相应的物......

基于单电子经典理论,本文通过分析得出了单岛单电子晶体管的源漏电导模型,并对其进行了详细的分析讨论.单岛单电子晶体管的源漏电......