为了探究单光子雪崩二极管（SPAD）器件的保护环宽度(WGR)对暗计数噪声的影响，基于标准180 nm CMOS工艺，设计了以低浓度掺杂深n阱（DNW）为保......

为了进一步缩小SPAD探测器的尺寸,基于0. 18μm CMOS图像传感器（CIS）工艺对p-well/DNW（deep n-well） SPAD的保护环尺寸进行设计,并制造......