通过低温强磁场下的磁输运实验,研究了AlxGa1-xN/GaN调制掺杂异质结构二维电子气(2DEG)的能带分裂性质.1.4 K温度下测量的磁阻曲线......

利用变角度磁输运方法研究了高迁移率、高浓度、宽度为20nm、单边6掺杂的In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As量子阱，根据量子阱平面与磁......

InGaAs/InAlAs半导体材料目前是制作高电子迁移率晶体管的首选材料之一,对于它的研究方兴未艾,在深低温、强磁场条件下的输运性质......