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传统栅控晶闸管（MCT）的制造工艺中存在阱区浓度调整与器件性能最大化之间的矛盾,提出了一种具有高电流上升率的制造工艺的优化,实现......
针对两种应用于大功率领域的半导体器件——栅控晶闸管（MCT）和组合式绝缘栅晶体管（CIGBT），采用数值仿真软件进行了此较研究。静态仿真结......
