描述了影响硅器件性能的二氧化硅中的缺陷,介绍了氧空位的概念,分析计算了随机氧空位对栅漏电流的影响。模拟结果表明:当氧空位在......

随着MOSFET尺寸的不断减小，栅漏电流对器件特性的影响日益明显。栅漏电流噪声一方面影响器件性能，另一方面可用于栅介质质量表征，因此......

Si CMOS技术以其低能耗、高集成度、高效率、高可靠性以及优良的噪声性能在集成电路中占据统治地位。对于深亚微米尺寸的器件,为了......

Si MOS器件是集成电路中非常重要的元件,随着电路集成度不断提高,要求器件的特征尺寸越来越小,传统SiO2栅介质层相应地减薄到几个......

MOS器件（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor-MOSFET）的特征尺寸已经降到32nm以下,器件的沟道电容、工作电压、漏极......

随着集成电路的快速发展,等比例缩小技术已经不能满足摩尔定律,应变硅MOS器件成为后硅时代研究的热点。应变硅技术通过拉伸或压缩......

随着集成电路集成密度的不断增加,金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)的特征尺寸越来越小,并且逼近其物理极限。本文主要研究......