对高k栅介质SOInMOSFET器件的PBTI退化和恢复进行实验研究，并且与pMOSFET器件的NBTI效应进行比较，分析PBTI效应对阈值电压漂移、线性......

针对传统反应扩散(reaction-diffusion,R-D)机制不适合纳米互补金属氧化物半导体(complementary metal oxide semiconductor,CMOS)......

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