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采用简单的碳热还原法，以碳粉和Si02微粉分别作为碳源和硅源，在1550℃高温真空气氛箱式炉中制备SiC纳米线。并利用X射线衍射（XI国）、扫......
介绍了用一种简单的气相合成方法制备出了大量高纯单晶氮化硅(α-Si3N4)纳米线,所形成的纳米线粗细均匀、表面光滑,直径为30～80nm,......
单晶钨微，纳米晶须因其优异的场发射性能和力学性能而显现出巨大的应用前景。首先简要介绍了合成单晶钨微，纳米晶须的两种方法（直接气......
