采用化学气相沉积系统制备ZnO纳米线，以覆盖一层约5nm厚的Ag薄膜的单晶Si（001）为衬底，纳米线的生长遵循气-液-固（VLS）机理。对得到的样品......

建立了一种在氮气和氢气的还原性混合气氛和1100℃条件下加热商业不锈钢箔（304）制备MnCr2O4尖晶石纳米线的简单方法，并研究了不同气氛......

以Zn粉为原料，在CuE（E=S，Se）微米球的辅助下，采用化学气相沉积（CVD）法在Si衬底上成功制备出微米级ZnE（E=S，Se）网状晶须。用XRD，EDS，SEM和PL谱分......