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氮化镓（GaN）是第三代半导体材料的典型代表,具有宽带隙、高临界击穿电场及高饱和电子漂移速率等优异特性,特别是AlGaN/GaN异质结具有......
利用飞秒脉冲激光对氮化镓（GaN）功率器件进行单粒子烧毁效应定量评估技术研究，针对器件结构建立脉冲激光有效能量传输模型，计算了激光......
现今社会,开关电源已经被使用在各行各业当中,随着使用环境要求进一步提高和能源使用效率意识的逐步增强,高功率密度、高效率输出......
研究了P型帽层和共源共栅(Cascode)结构氮化镓(GaN)功率器件高/低剂量率辐照损伤效应。试验结果表明,P型帽层和Cascode结构GaN功率......
对采用P型栅增强型技术的GaN功率晶体管进行了反应堆1 MeV等效中子辐照效应实验。结果表明，在注量为1.5×10^15 cm^-2 的中子辐......
随着电子信息技术的蓬勃发展,半导体器件作为硬件电路的关键要素,在几十年的发展历程中历经了三代的演变。作为第三代半导体器件的......
共源共栅级联(Cascode)型氮化镓(GaN)功率器件已经逐步商业化,并在耐压、开关性能、温度特性等方面显示出比传统的硅材料器件更为......
开关电源是现代社会中重要的电力电子设备,高效化、小型化、高可靠性、抗干扰成为了当今开关电源的发展方向,而拓扑形式的改进和开......
相控阵雷达的核心部件T/R组件性能不断提高,GaN半导体器件的应用使得组件输出功率和效率大幅提高,能够在高温下工作。但是GaN材料......
电力电子是现代科学、工业和国防的重要支撑技术,功率器件是电力电子技术的核心和基础,其应用是电力电子技术发展的驱动力。该文对......
针对氮化镓(GaN)功率器件在高频应用中因寄生参数带来的输出电压振铃问题,这里研究了驱动电路寄生参数和栅极驱动阻抗匹配影响GaN......
