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采用非对称结构和注Ge的部分耗尽SOI nMOSFET的浮体效应
研究了一种采用非对称结构和注Ge的部分耗尽0.8μm SOI nMOSFET的浮体效应,实验结果表明这种结构能够提高漏端击穿电压约1V,减轻反......
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SOI nMOSFET
浮体效应
注Ge
SOI nMOSFET
floating body effect
Ge-implantation
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