深紫外发光二极管相关论文
覆盖UVC波段的AlGaN基深紫外发光二极管（DUV-LED）具有环保、节能、安全等特点,能够替代传统汞灯光源,在空气杀菌、水消毒净化、食物......
基于Ⅲ族氮化物材料的深紫外发光二极管（LED）具有体积小、低功耗、寿命长、波长可调和环境友好等优点,有望代替传统的紫外汞灯光源,......
AlGaN材料作为第三代半导体材料,在深紫外发光二极管（Deep ultraviolet-Light emitting diodes,DUV-LEDs）等光电子器件领域具有非常......
为了使基于AlGaN外延材料的深紫外发光二极管(DUVLED)的内量子效率(IQE)随驱动电流的增大而降低的幅度减小,有助于DUV LED在一个较......
波长≤280nm的深紫外光源有两大类,气压放电紫外光源和深紫外发光二极管.低气压放电紫外光源材料、制造技术相对成熟,占据应用市场......
Ⅲ族氮化物材料（Al N、Ga N、In N）具有载流子寿命长,良好的化学和热稳定性等优点,是目前唯一已知的宽禁带、直接带隙且波长连续可调......
针对AlGaN基多量子阱中有效的平衡载流子注入问题,研究了有源区势垒层中Al组分调制形成的非规则H形量子势垒对AlGaN基深紫外发光二......
目前,发光波长短于360nm的深紫外发光二极管(DUV LEDs)的外量子效率(EQE)普遍低于10%。一方面,基于高AlN组分AlGaN材料量子阱的出......
采用有机金属化学气相沉积法,在1μm氮化铝/蓝宝石衬底上制备了不同结构的AlGaN基多量子阱结构的深紫外发光二极管,其禁带边发光峰......
通过三维有限时域差分(3D-FDTD)的光学模拟仿真计算,系统地研究了空气孔型光子晶体反射镜结构中各参数对AlGaN基深紫外发光二极管......
在紫外半导体光源研究领域,紫外发光二极管(Ultraviolet Light-Emitting Diodes—UV LED)的发展是一个重要的课题。其影响及应用非......
Ⅲ族氮化物,包括InN,GaN,AlN以及它们的合金。因为它们具有直接带隙结构,而且其带隙宽度从0.7eV到6.2eV连续可调,很适合用以制造固......
