漏电流密度相关论文
当超大规模集成电路的特征尺寸缩小至小于65nnm或者更小时,传统的二氧化硅栅介质层的厚度就需要小于1.4nm,而如此薄的二氧化硅层会......
利用氧离子辅助电子束蒸发沉积Ta2O5薄膜,在dd定氧离子能量的条件下研究了氧离子束流密度对Ta2O5薄膜的微观结构、化学计量比和漏......
采用溶胶凝胶方法在Si（100）衬底上生长了SrBi2Ta2O9/LaNiO3（SBT/LNO）异质结薄膜,其中SrBi2Ta2O9薄膜呈高度（115）取向.测量了不同退火温度......
选用CeCl4和FeCl3等对自制的对苯撑进行掺杂, 将制得的高介电聚苯 撑粉末加入到硅油中得到电流变体流体, 测量了在电场作用下粘度......
采用溶胶-凝胶法在Pt/Ti/SiO_2/Si（111）衬底上制备了Bi_（0.975）La_（0.025）Fe_（0.975）Ni_（0.025）O_3（BLFNO）铁电薄膜。利用X射线衍射（XRD）、原子力......
自从1947年晶体管发明以及1958年第一个集成电路诞生以来,以硅基集成电路为核心的微电子技术取得了飞速发展,传统热生长法生长的Si......
钛酸锶钡[Ba1-xSrxTiO3]（BST）薄膜是目前凝聚态物理领域倍受关注的铁电材料。一方面,由于它具有优异的铁电、压电、介电和热释电性能......
在较低衬底温度下，通过磁控溅射得到的非晶态Ta2O5薄膜，在氧气氛750℃条件下进行化学热退火，得到晶化的Ta2O2薄膜，其相对介电常数为34．3......
采用磁控溅射法在覆釉95-Al2O3陶瓷基片上制备了BaO-Nd2O2-Sm2O3-TiO2（BNST）微波介质薄膜为介质的金属-绝缘体-金属结构电容器。原子......
用聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)包裹由水玻璃、铝盐和羧酸形成的硅铝氧烷凝胶,制备的微囊复合材料用硅油调制成稳定的悬浮液,并测试了该......
自从平面肖特基二极管产生以来,就受到了人们的高度关注。平面肖特基二极管具有优异的高频特性和较低的正向开启电压,这些独特的性......
本文介绍用四乙基正硅酸盐（TEOS）等离子体加速化学气相淀积SiO2膜的试验研究情况。发现,当采用氧作氧化剂的时候,所产生的膜大约含有......
以联苯四酸二酐和4,4’-二氨基二苯醚为单体原料使用气相沉积聚合(VDP)法制备了聚酰亚胺(PI)绝缘膜,分析不同热亚胺化处理温度对PI......
碳化硅(SiC)MOS(金属-氧化物-半导体)功率器件是SiC材料高压高功率应用的重要组成部分。当SiC达到其临界击穿电场3MV/cm时,根据高......
