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片内非均匀性(WIWNU)相关论文
STI CMP中SiO2/CeO2混合磨料对SiO2介质层CMP性能的影响
为了在浅沟槽隔离(STI)化学机械平坦化(CMP)过程中提高对SiO2介质层去除速率的同时保持晶圆表面一致性,研究了SiO2/CeO2混合磨料的协同......
期刊
化学机械平坦化(CMP)
二氧化硅(SiO2)
混合磨料
片内非均匀性(WIWNU)
协同作用
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