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物理升华法相关论文
ZnO晶体PVT生长工艺研究
在宽禁带半导体领域,ZnO是继SiC和GaN之后又一种极具潜力的光电子材料。这种化合物半导体在室温下禁带宽度为3.37eV,其更高的自由......
学位
宽禁带半导体
氧化锌晶体
物理升华法
晶体生长
拉曼散射
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