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采用解析模型,对n型4H-SiC电子霍耳迁移率和霍耳散射因子进行了理论计算.结果表明:低温区,掺杂浓度较高时,中性杂质散射对电子霍耳......
基于对自身能带结构的分析以及各向同性弛豫时间近似法，采用三椭球等能面、抛物线性简化，建立了适于模拟n型6H-SiC电子霍耳迁移率和......
新型宽禁带半导体材料SiC兼有高饱和电子漂移速度、高击穿电场、高热导率等特点,在高温、大功率、高频、光电子、抗辐射等领域具有......
目的基于低场输运模型,对4H-和6H-碳化硅电子霍耳迁移率和霍耳散射因子进行了理论计算。方法计算中采用了各向同性弛豫时间近似法,......
