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基于负栅源边擦除的闪速存储器存储单元，研究了形成应力诱生漏电流的三种导电机制，同时采用新的实验方法对引起瞬态和稳态电流的电压......
基于介观电容存在弱耦合特性，对介观LC电路的量子效应进行了研究。研究结果表明：考虑介观电容器弱耦合效应的影响，介观LC电路将由初始......
深亚微米工艺下互连串扰问题成为IC设计中的"瓶颈".在充分考虑互连线的电容耦合效应和电感耦合效应的前提下,提出了一种有效估算互......
通过实验研究了闪速存储器存储单元中应力诱生漏电流(SILC)的产生机理.研究结果表明,在低电场应力下,其可靠性问题主要是由载流子......
针对高速数字设计电路中通孔通道结构中存在的电容耦合效应,成功采用了同轴线导体物理模型对通孔通道互连结构进行分层模型分析。......
