电致电阻效应相关论文
磁性半金属材料是具有独特能带结构的自旋电子材料,拥有丰富的物理特性和广泛的应用前景。本文从实验上制备了磁性半金属/单晶硅复......
一维纳米核壳结构是对原始纳米材料的剪裁和改造进而得到的双层或者多层特殊结构,具有许多特有的光、电、催化性能,因而在半导体器......
学位
基于掺杂稀土锰氧化物在磁存储和磁传感方面的广泛应用前景,在前人大量研究庞磁电阻(colossal magnetoresistance,CMR)效应的基础......
近年来，随着科学技术的快速发展，人们对信息存储技术的要求越来越高。寻找到一种具有高存储密度、高读写速度、非易失性和低能耗的新......
近年来,铁电材料因为它们在电子设备上的广泛应用,尤其是由铁电隧道结制备的纳米尺寸的传感器和非易失性存储器因为拥有高的存储密......
用固相反应法制备系列Nd0.67Sr0.33MnOy(y=3.00-2.80)多晶样品.样品输运性质表现出自旋相关电致电阻特征.对氧含量等于化学计量样......
用固相反应和高能球磨合成后续热处理两种方法分别得到钙钛矿结构Nd0.7Sr0.3MnO3氧化物.两种不同方法得到的多晶样品,虽然晶体结构......
纳米铁电容器结构称为铁电隧道结，可以利用铁电垒极化方向的不同而导致器件阻态差异作为记录信息的物理载体，电极和势垒之间的界面是......
铁电隧道结是一种具有量子隧穿效应和电致电阻效应的新型隧道结。从铁电隧道结的基本理论出发，针对势垒层和电极材料选取的角度详细......
对SrTiO3材料体系的电致电阻效应及其机理进行了系统的介绍；并对目前公认的3种调制机理：氧空位电迁移模型、共振隧穿路径开闭模型、......
电阻型随机存储器(RRAM)是一类非常有前途的新型非易失性半导体存储器。基于过渡金属氧化物材料的RRAM器件具有“价格低,功率小,速......
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用固相烧结法制备Nd0.67Sr0.33MnOy（y=2.85）多晶样品。样品输运性质表现出自旋相关电致电阻特征。对含量低于化学计量y=3.0样品，当温......
介绍了电致电阻效应材料和磁致电阻效应材料等可变阻抗功能材料的最新研究进展,分析了其用于高功率电磁脉冲防护的工作原理,指出变......
稀磁半导体由于可以同时利用电子的自旋和电荷这两个自由度而引起了研究者的广泛关注。目前研究热点主要是寻找具有室温铁磁性的稀......
铁电存储器具有非挥发性、低功耗、高读写速率、高存储密度、优异的抗辐射等优点，在电子信息和国防等领域具有非常广阔的应用前景。......
