电随机存储器(RRAM)是下一代非易失存储器中最具应用潜能的材料之一,其结构简单、存储密度高、读／写速度快、低功耗并且与CMOS工艺......

随着半导体技术的快速发展，各种新型非易失性存储器(NVM)应运而生，主要包括铁电存储器(FRAM)、磁电阻存储器(MRAM)、相变存储器(PRAM......

采用脉冲激光沉积技术制备了Ag/ZnO/Pt和Ag/ZnO-Ti/Pt阻变存储器。与Ag/ZnO/Pt相比,Ag/ZnO-Ti/Pt的阻变性能得到了显著的改善。对T......

采用脉冲激光沉积技术制备了Ti/Pr0.7Ca0.3MnO3/Pt(Ti/PCMO/Pt)和底电极为La0.67Sr0.33MnO3(LSMO)的Ti/Pr0.7Ca0.3MnO3/La0.67Sr0.......