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由于硅为间接带隙材料，体硅的带间辐射复合率相当低，因而不具有良好的光学特性。考虑到硅材料的工艺、技术以及经济效益等因素，近年来......
测量了Nd,Ce稀土离子注入Si基晶片,在不同离子注入剂量、不同退火条件下的室温光致发光(PL)谱,结果表明它们均具有蓝、紫发光峰,且......
基于标准CMOS工艺的p＋源/漏区和n阱,设计了两种楔形瓣状结构的正向注入型硅基发光二极管（Si-LED）,采用UMC 0.18μm 1P6M CMOS工艺设计......
随着人们对大容量、高速和低成本的信息传播的要求越来越迫切,近年来硅基光电子学得以蓬勃发展,但硅基光源一直没有得到真正的解决......
作为极有可能取代传统微电子集成电路的下一代产品,硅基光互连系统越来越受到重视。然而硅属于间接带隙半导体,由其构成的硅基发光......
以硅材料为基础的微电子技术，是现代电子计算机、自动化控制、电子通信等领域发展的基础，也体现着一个国家科技实力的强弱。然而随着......
基于硅基有源驱动芯片和单色LED显示阵列芯片,利用光刻及沉膜工艺,在芯片上完成了640×480铟柱阵列的制备,之后采用回流焊、倒装焊......
