碳化硅单晶相关论文
碳化硅因其高硬度、高强度、高耐磨、高导热、耐腐蚀、抗冲蚀等特点，被广泛应用于航空航天、能源、环境、交通、信息技术等领域。宁......
宽禁带碳化硅半导体是继硅半导体之后新近发展起来的新一代功率半导体,主要应用于电力电子、微波电子、光电子等领域,可大幅降低系......
SiC单晶衬底中的微管缺陷对SiC基器件是一种致命的缺陷,会严重影响SiC功率器件的成品率.基于物理气相传输(PVT)法,通过改进生长设......
本文利用PVT法生长6H-SiC单晶的原理和生长设备的构成与功能，探索了用PVT法生长6H-SiC单晶的工艺，并利用自制的碳化硅晶体生长设备成......
用物理气相输运(Physics Vapor Transport)法生长的SiC单晶常常出现同质异晶型(polytypes)夹杂。由于异晶型间电学特性差异较大，使......
碳化硅(SiC)单晶是一种宽禁带半导体材料,具有禁带宽度大、临界击穿场强大、热导率高、饱和漂移速度高等诸多特点,被广泛应用于制......
采用无毒、不易燃的六甲基二硅胺烷和氢气在硅(001)单晶上用施加负偏压处理和化学汽相沉积(CVD)方法预沉积定向的βSiC.傅里叶红外......
研究了激光的功率、标刻速度、频率等对打标深度的影响,通过多组实验,观察不同参数下,打标效果的变化。确定了激光功率为50%,标刻......
采用物理气相传输法生长了Al掺杂和非掺杂的6H-SiC晶体,测量了从室温到400℃的拉曼光谱.由于晶体的热膨胀作用及光声子散射过程中......
用光吸收谱法对3种常见的碳化硅单晶多型结构进行鉴别，结果显示，4H-、6H-及15R-碳化硅多型体结构的光吸收谱的吸收边位置有明显差别，......
以过渡族金属硅化物为溶剂，采用自发熔渗法和溶液法来研究不同形貌SiC晶体在金属硅化物熔体中的生长情况．利用光学显微镜（OM）、扫描电......
碳化硅单晶材料硬度很高,用传统的切片方式难以加工、效率低下,多线切割是加工硬脆材料的有效方式,文章通过使用电镀金刚石线多线......
本文叙述:①碳化硅单晶热敏电阻的特点、系列和规格;②制造工艺及研究③元件在仪表中的应用等。
This article describes: ① sil......
中国科学院上海硅酸盐研究所科技人员立足自主研发，在掌握直径2英寸、3英寸碳化硅单晶生长技术之后，近日成功生长出直径4英寸4H晶型......
11月26日,由太原生产力促进中心管理的＂三代半导体碳化硅单晶产业化＂项目通过了科技局组织的项目验收。该项目由中国电子科技集团第......
激光抛光,作为一种新兴的特种加工技术,在很多领域有着广泛的应用前景,尤其适用于传统加工技术难以加工的特殊表面、微尺寸零部件......
无限多样、纷繁复杂、千变万化的物质世界有多种形态存在,有固态、液态、气态还有超固态和离子态等。半导体材料的发现可以追溯到1......
基于有限元数值计算方法,对物理气相传输(PVT)法生长碳化硅(SiC)晶体过程中籽晶托、坩埚侧壁、轴向温度梯度三个因素导致的热应力......
碳化硅(SiC)具有高热导率、高击穿场强、高饱和电子漂移速率、高化学稳定性和抗辐射等突出的特性与优势,决定了其在高功率器件、高......
报道了生长SiC单晶的PVT法生长工艺,研究了晶体生长温度、温度梯度、生长室压力、杂质等因素对晶体生长和晶体质量的影响,确定出合......
采用升华法生长调制掺氮的6HSiC单晶,其[0001]方向纵切片的掺氮条纹表明,晶体的生长前沿由初始生长阶段的凸形逐渐变成了后续生长......
利用显微激光拉曼光谱法对掺氮 6H SiC单晶中的寄生多型体进行了鉴别 ,结果表明其中有 4H SiC和 15R SiC两种寄生多型体。不同SiC......
碳化硅（SiC）半导体材料是继第一代元素半导体材料（Si）和第二代化合物半导体材料（GaAs、GaP、InP等）之后发展起来的第三代宽带隙半导体材......
SiC半导体材料是自第一代半导体材料（Si）和第二代化合物半导体材料（GaAs、GaP、InP等）之后发展起来的第三代宽带隙半导体材料，具有优异......
碳化硅作为最新的第三代半导体材料,具有耐高温、高热导率、高击穿电压等优异特性,碳化硅器件可以在极端条件下工作。本文介绍了碳......
研究了具有立方结构的碳化硅(β-SiC)粉料在单晶生长过程中的物相变化及对生长晶体均匀性、缺陷等的影响.实验发现,在晶体生长过程......
自从1948年 Shockley 发明晶体管以来,半导体元件已愈来愈获得重要意义,它导致了主要是通讯技术和强电技术方面的革命性发展。对......
