离子束增强沉积相关论文
考察了影响氧化钛薄膜血液相容性的因素,提出了对血液相容性机理的看法,认为血液相容性是表面能和功函数共同作用的结果.表面能决......
随着光纤通信和集成光电子学的发展，掺铒光波导放大器成为光纤通信与光电子学领域研究的热点。光波导放大器的开发需要光波导薄膜材......
该文针对NiTi心血管支架存在的问题旨在不影响NiTi体性能前提下,得用表面改性改变其表面理化特性,提高植入物的抗腐蚀性和抗凝血性......
SOI材料可成功的应用于微电子的大多数领域,但由于其SiO绝缘埋层的自热效应,使其在高温高功率器件中的应用受到局限.科学家们已经......
随着光纤通信和集成光电子学的发展，人们越来越多的关注掺铒光波导放大器的研究。光波导放大器的开发需要光波导薄膜材料的研制。 ......
利用多功能离子束增强沉积设备，采用三种不同工艺方法制备TiN薄膜，并对制备的TiN薄膜进行了AES，XPS，XRD，RBS和TEM等分析。结果表明：所制......
采用离子束增强技术(IBED)在100mm硅片上合成了AlN薄膜。以速率0.05nm/s蒸发高纯Al得到AlN样品,XPS结果证实了成功合成了AlN薄膜......
依据离散强化涂层理论,根据实际工况要求,采用瞬态电能强化与离子束增强沉积(IBED)技术制备了离散复合强化涂层,并进行了强化机理......
用改进的离子束增强沉积方法和恰当的退火从V2 O5粉末直接制备了VO2 多晶薄膜 .实验测试表明 ,薄膜的取向单一、相变特性显著、结......
将V2O5粉体与WO3粉体均匀混合并压制成靶,用离子束增强沉积加后退火技术在SiO2衬底上制备掺钨VO2多晶薄膜.X射线衍射表明,薄膜取向......
利用离子束增强沉积方法在室温和不同能量的氮离子轰击条件下制备了不同调制周期的ZrN/W纳米多层膜.利用XRD,AES和纳米压痕仪分析......
采用了一种用离子束增强沉积从V2 O5粉末直接制备VO2 薄膜的新方法 ,将纯度为 99 7%的V2 O5粉末压成溅射靶 ,在用Ar离子束溅射的......
采用连续压入法以及球滚接触疲劳法评定不同界面共混工艺所制Ｃｒ－Ｎ镀层膜基结合 强度，并对两种方法试验结果进行分析对比．试验结果表明，在......
将离子束增强沉积（IBED）技术与离子束溅射沉积技术相结合，在钛合金表面制备了MoS2， MoS2-Ti复合膜。研究了膜层的形态、结构、膜基结合......
在原子力显微镜上对采用离子束增强沉积方法制备的4种纳米金属薄膜的摩擦特性进行了研究,分析了载荷和滑动速度对金属薄膜摩擦特性......
研究了Ti811（Ti8A11MolV）钛合金表面离子束增强沉积（IBED）0Cr18Ni9膜层的膜基界面成分分布、膜基结合强度、膜层硬度和摩擦学行为。利......
氧化钒薄膜由于其具有高电阻温度系数（TCR），近年来被广泛应用于非制冷红外探测器。利用离子束增强沉积法，通过精确控制溅射电压、退火......
利用离子束增强沉积技术在钛合金表面制备CrN硬质抗磨层和CuNiIn固体润滑膜层.通过电化学测试技术对比研究了膜层和钛合金基材在含......
栅电子发射是影响行波管工作性能和制约其使用寿命的主要因素.国内研制的导弹雷达制导用行波管因存在严重的栅电子发射现象,寿命只......
利用离子束增强沉积(IBED)技术在1Cr18Ni9Ti奥氏体不锈钢上制备了TaN薄膜,并通过电化学原子力显微镜(ECAFM)对TaN薄膜在NaCl溶液中......
利用离子束增强沉积(IBED)法成功地在Si(100)衬底上合成了大面积均匀的非晶AlN薄膜.XRD和XPS测试结果证实该薄膜为非晶且无单质Al......
对离子束增强沉积(IBED)氧化钒薄膜作不同条件的退火,用X射线衍射分析薄膜的晶体结构;用电阻-温度测试分析了薄膜的热电阻温度系数......
用离子束增强沉积制备高性能VO2薄膜,在溅射V2O5粉末靶的同时,用氩、氢混合束对沉积膜作高剂量离子注入,然后经500℃以上的退火,获......
用改进了的离子束增强沉积方法从V2O5粉末直接制备了VO2多晶薄膜，薄膜具有较高的温度系数和致密、稳定的结构。详细分析了成膜机理，......
分别以硅青铜和YG-8合金为电极进行瞬态电能表面强化结合离子束增强沉积硅青铜对Ti17钛合金进行表面复合强化,研究了电极材料对其......
用Al2O3粉体与ZnO粉体均匀混合,压制成溅射靶.在Si和SiO2/Si 衬底上,用离子束增强沉积(IBED)方法对沉积膜作Ar+/N+注入,制备Al-N共......
利用离子束增强沉积(IBED)法制备了Li掺杂ZnO薄膜(LZO),溅射靶为Li/Zn原子比为5％ZnO的陶瓷靶,实验结果显示:IBED法制备的(LZO)薄膜......
采用离子柬增强沉积技术制备了ZnO薄膜，分析了退火温度、退火气氛对所制备ZnO薄膜的结构、电学特性和发光特性的影响。利用IBED法获......
作文分发的广泛的研究，结合的力量，坚硬，并且穿离子横梁在 Ti811 钛合金表面上扔的一部 0Cr18Ni9 电影的电阻提高的免职(IBED ) 被介......
用多晶薄膜晶粒-晶界两相结构模型,考虑晶格畸变和载流子对晶界势垒区的隧穿机制,在10～100℃范围内,模拟了离子束增强沉积(IBED)VO2......
将Ta2O5与V2O5均匀混合，压制成溅射靶，用离子束增强沉积方法在二氧化硅衬底上沉积掺Ta氧化钒薄膜。在氮气中适当退火，形成掺杂二氧化......
为提升钽酸锂薄膜的性能,提出一种离子束增强沉积法制备钽酸锂薄膜的新工艺。分别采用这种新工艺和溶胶-凝胶法制备了钽酸锂薄膜,......
用离子束增强沉积方法制备掺杂Ar和W的VO2多晶薄膜，明显改变了VO2薄膜的相变温度。试验发现，薄膜存在一个形成VO2结构的临界结晶温度......
采用离子束增强沉积的方法，改变氧分压，在硅基体表面制备出了不同组分及不同取向的氧化钛薄膜。采用XRD，掠角衍射以及XPS分析方法对薄......
在原子力显微镜上对采用离子束增强沉积方法制备的Ni、Ti纳米金属薄膜的形貌进行了观察,应用分形理论分析了薄膜表面的分形特征,并......
采用离子束增强沉积(IBED)法和溶胶-凝胶法(Sol-gel)在SiO2/Si衬底上制备了具有半导体相-金属相转换特性的二氧化钒薄膜.对两种方......
用离子束增强沉积法从五氧化钒直接制备二氧化钒薄膜.750℃氮气退火后,薄膜的热电阻温度系数高达4.07%.高剂量的氢、氩混合束的注......
研究40CrNiMoA钢ESD-IBED复合表面强化过程，分析强化层的组织、硬度、相组成和耐磨性。结果表明。在ESD．IBED复合沉积层中ESD沉积层......
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首次采用离子束增强沉积技术对钛基生物材料表面进行了Ti－O薄膜系统合成研究，获得了离子束合成参数—薄膜成分、结构—表面物理性质......
采用不同离子束入射方向的离子束增强沉积技术（IBED）在W18Cr4V高速钢表面沉积TiN薄膜.利用阳极极化曲线测试技术研究TiN薄膜在0.5mol......
SOI材料可成功的应用于微电子的大多数领域，但由于其SiO2绝缘埋层的自热效应，使其在高温高功率器件中的应用受到局限。科学家们已经......
分别利用等离子氮化技术和离子束增强沉积(IBED)技术使钛合金表面获得硬质抗磨层和MoS2,MoS2-Ti固体润滑膜层.通过电化学测试技术......
利用离子束增强沉积方法在医用聚甲基丙烯酸甲酯表面制备类金刚石膜。蛋白吸附实验表明 :与聚甲基丙烯酸甲酯相比 ,吸附于类金刚石......
利用慢应变速度拉伸试验并结合断口分析，研究了镀银方式，镍阻挡层，表面压力和温度等因素对ＴＣ４钛合金固态银致脆行为的影响，并对ＳＳＩＥ机制进行了......
