稀磁半导体相关论文
采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波赝势方法,分别计算了Si空位、单个Al、Al与Si空位共掺杂3C-Si C的电子结构和磁性。结果表......
稀磁半导体既拥有磁学性质又拥有半导体特性,同时利用电子的两个自由度即电子自旋和电荷,在此基础上发展了结合磁学和微电子学的两......
稀磁半导体（diluted magnetic semiconductor,DMS）是把电子的电荷自由度和自旋自由度集于同一基体,使其同时具备半导体材料和磁性材......
氧化锌（ZnO）是一种直接宽带隙半导体材料,室温下禁带宽度3.37eV,激子束缚能高达60meV,物理性能优异。而且,ZnO的原材料来源广泛,价格......
由于ZnO宽禁带半导体在发光二极管,激光二极管以及稀磁半导体器件领域有着广泛的应用前景,近年来备受关注成为研究热点。本论文针......
自旋电子学作为一门新兴的物理学学科领域,在半导体与磁性的结合方面奠定了较为成熟的理论基础。随着自旋电子学的广泛研究,发现诸......
稀磁半导体兼具自旋和电荷两种属性,可以制成相应的自旋电子学器件,在当今社会信息的传输、处理和数据存储等方面有着广泛的应用前......
自从著名物理学家、诺贝尔奖获得者理查德·费因曼在1959年提出“纳米科学与技术”以来,人们对于物质世界的研究逐渐由宏观走向微......
离子注入作为一种独特的材料改性技术手段被广泛应用于当今的工业生产和科学研究领域,根据各种不同目的所进行的元素掺杂和注入处......
ZnO是一种物化性质稳定、价格低廉、安全可靠的半导体材料,具有理想的禁带宽度和激子结合能。因而在自旋电子学和光催化等领域极具......
作为反物质世界的一颗璀璨明珠,正电子（电子的反粒子）,因其对电子异常灵敏的特性而被用于研究材料的微观结构。在Anderson发现正电子......
近年来,稀磁半导体因其在自旋电子器件领域中的广泛应用而受到关注。新型稀磁半导体突破了传统稀磁半导体自旋和电荷“捆绑”效应......
新型稀磁半导体作为一种非常重要的功能材料具有广泛的应用前景,它克服了传统稀磁半导体电荷和自旋“捆绑”的特点,可以实现对电荷......
稀磁半导体（Diluted Magnetic Semiconductors,DMSs）,一般指掺入过渡金属元素或稀土金属元素而构成的一类新型半导体材料。氧化锌（ZnO......
电荷与自旋掺杂的“捆绑”是传统稀磁半导体（Diluted Magnetic Semiconductor,DMS）的固有缺陷。为了克服这一难题,本论文研制了一系......
利用固相反应法制备Zn0.9Co0.1O三维体材料,在不同的烧结温度下,应用单因素实验法对相同的配比成分样品进行处理,并对样品进行性能......
采用水热法,以CoCl2·6H2O为前驱物,KOH作为矿化剂合成了掺钴氧化锌稀磁半导体晶体。利用扫描电子显微镜(SEM)及X射线能谱仪(XREDS......
本文采用固相反应、真空退火和脉冲激光沉积方法制备了(In0.92Fe0.05Cu0.03)2O3粉末和薄膜以及(In0.92Fe0.05Sn0.03)2O3粉末,通过......
稀磁半导体是指将磁性离子注入到非磁性半导体中,使其成为磁性半导体,从而具有电荷和自旋两种自由度,为了实现自旋极化载流子的高......
稀磁半导体由于在自旋电子学领域具有潜在的应用价值,受到人们广泛地关注。而稀磁半导体中铁磁性的来源一直是困扰人们的问题,其中......
回顾了Ⅱ－Ⅵ族半导体材料的研究状况．结合国际上的最新研究动态，总结出Ⅱ－Ⅵ族半导体材料研究的主要方向：（１）ｐ型掺杂研究；（２）ｐ型Ⅱ－Ⅵ族半导体的欧......
简单介绍了IV-VI族稀磁半导体的特性。IV-VI族稀磁半导体的自发磁化、矫顽力和居里温度等性质可由载流子浓度调节。对制造技术导致......
低温分子束外延技术的应用 ,使高浓度掺杂的III -V族稀磁半导体得以成功制备 ,与现代半导体器件兼容 .本文概要地回顾了磁性半导体......
稀磁半导体(DMS)既具有半导体性能又具有磁性,是良好的自旋电子器件材料。本文着重研究宽带隙ZnO基稀磁半导体以及零带隙稀磁半导......
稀磁半导体因为结合了半导体和磁性材料的性能在构建自旋电子学器件中起着不可或缺的作用,其中ZnO基稀磁半导体因其独特的物理化学......
ZnO是II-VI族直接带隙化合物,具有宽禁带、激子结合能大、耐高温和高稳定性等诸多特性。因其优异的各项性能,使其在半导体发光器件......
稀磁半导体中存在着极为丰富的磁相互作用,有望设计出性能更加优异的器件,对其进行研究有助于进一步认识这些材料的磁性本质。本文......
稀磁半导体具有较传统半导体显著的优越性质，近些年来受到了人们更多的关注，稀磁半导体具有速度快、低能耗、体积小、非易失性等重要......
随着微加工技术和大规模集成电路的出现,传统的半导体器件已经不能满足人们的需要。为了探索新型的电子器件,人们把研究焦点转移到......
自旋电子学材料作为一种同时利用电子的自旋和电荷两种属性的新型功能材料有望在未来制备出性能更加优异的器件。本文采用基于密度......
本文通过非自耗真空电弧炉设备,通过前驱合金熔炼法制备了CuIn1-x-yRxCoyTe2(R=Ce,Gd)稀磁半导体化合物。通过X射线衍射确定了各样......
稀磁半导体材料同时利用电子的电荷属性和自旋属性,具有优异的半导体和磁学性能,在未来自旋电子器件中有广泛的应用前景。因此,开......
在半导体中引入磁性可以获得稀磁半导体（DMS）,由于DMS能够同时调控电流和自旋两种自由度,为开辟半导体技术新领域以及制备新型电子器......
纳米光子学已经成为纳米领域热门的研究方向之一,光子的特性蕴藏潜能和优越性,弥补了电子学的不足。稀磁半导体由于既有半导体特性......
稀磁半导体同时具备电子的电荷属性和自旋属性,在芯片集成度和电路性能的提升上具有广阔的发展空间,还在磁感应器、高密度非易失性......
自旋电子器件具有集成度高、功率低、运行速度快和易存储等优势而备受关注。利用稀磁半导体（Diluted magnetic semiconductors,DMS）......
传统的微电子器件利用的是电荷的输运性质。已在电子计算机技术和信息技术中获得极大的应用。目前,微电子器件的计算速度和存储的......
材料的界面与表面特性无论是在技术应用,还是在基本物理现象方面都具有与周期性结构的块体材料至少同等重要的意义。近年来,研究者......
稀磁半导体其自身独特的物理化学特性,兼具优秀的半导体性能以及磁学的性能,因此在研发新型自旋电子学器件领域中发挥着难以或缺的......
本论文采用磁控溅射法,在SiO_2/Si(100)和超白玻璃基片上制备Co/Sn共掺杂In_2O_3稀磁半导体薄膜。利用X射线衍射(XRD)、透射电子显......
以钛酸丁酯、六水硝酸钴等为原料,采用溶胶凝胶法合成Ti1-xCoxO2干凝胶前驱体,将前驱体在500℃空气氛围下进行退火处理,得到一系列......
采用溶胶凝胶法制备了稀磁半导体Ti1-xFexO2(x=0~0.050)的纳米颗粒,在氩气氛围中以500℃对样品进行退火处理,并通过差热/热重综合......
随着信息时代科学技术的飞速发展，对于信息的传输、处理及存储能力提出了更高的要求。稀磁半导体兼具电子的自旋与电荷的双重属性，对......
稀磁半导体兼具电子的自旋与电荷的双重属性，是制备自旋光电器件的材料基础，对信息的传输、处理以及存储具重要意义。基于铁基超导体......
本文采用水热法,以3mol·L-1KOH作为矿化剂,填充度为35%,温度为430℃,在前驱物ZnO或自制Zn(OH)2中添加一定量Mn、Co磁性过渡族金属......
