利用Fe(Si)合金球形粉末为沉积基底,正硅酸乙酯为SiO2气相介质前驱体,采用引入流化环节的化学气相沉积工艺合成了Fe(Si)/SiO2复合......

用C3H6作为碳源气,Ar作为稀释气体和载气,TaCl5为钽源,采用化学气相沉积法（chemical vapor deposition,CVD）在高纯石墨表面制备TaC涂......

以三氯甲基硅烷(CH3SiCl3,MTS)为先驱体原料,采用化学气相沉积法在C/C复合材料基体上原位生长碳化硅晶须,研究稀释气体流量、催化......