自偏置结构相关硕士博士期刊学术论文 - 搜论网

自偏置结构相关论文

基于GaAs PHEMT的5～12 GHz收发一体多功能芯片

基于GaAs赝高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺,研制了一种5~12 GHz的收发一体多功能芯片(T/R MFC),其具有噪声低、增益高和中等功率等......

期刊

GaAs赝高电子迁移率晶体管(PHEMT) 自偏置结构收发一体多功能芯片低噪声放大器单刀双掷(SPDT)开关

皮瓦级自偏置CMOS电压基准源的研究与设计

随着物联网、5G通讯以及便携式产品的迅速发展,功耗高和电池续航能力不足的矛盾越来越突出。在一些超低功耗(ULP)应用,例如微型传......

学位

电压基准源自偏置结构皮瓦级功耗标准CMOS工艺高性能

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