随着超大规模集成电路的不断发展,薄栅氧化层的质量对器件和电路可靠性的作用越来越重要.经时绝缘击穿(TDDB)是评价薄栅氧化层质量......

通过衬底热载流子注入技术 ,对薄SiO2 层击穿特性进行了研究 .与通常的F N应力实验相比较 ,热载流子导致的薄栅氧化层击穿显示了不......

分别研究了FN隧穿应力和热空穴 (HH)应力导致的薄栅氧化层漏电流瞬态特性 .在这两种应力条件下 ,应力导致的漏电流 (SILC)与时间的......

通过改变Si-MOSFET的栅电压、源电压、漏电压和栅氧化层厚度等参数,分析和求解栅介质下载流子迁移率、沟道内电流密度、电场、雪崩......

通过衬底热空穴（SHH，Substrate Hot Hole)注入技术，对SHH增强的薄SiO2层击穿特性进行了研究。与通常的F－N应力实验相比，SHH导致的薄栅氧......

通过大量工艺实验开发了采用低温Ｈ２－Ｏ２合成氧化方法制备薄栅氧化怪的工艺技术，得到了性能优良的薄栅氧化层，对于厚度为３０ｎｍ的栅氧化层，其平均击......

栅氧化层厚度的减薄要求深入研究薄栅介质的击穿和退化之间的关系。利用衬底热空穴注入技术分别控制注入到薄栅氧化层中的热电子和......

利用衬底热空穴（SHH）注入技术，分别定量研究了热电子和空穴注入对薄栅氧化层击穿的影响，讨论了不同应力条件下的阈值电压变化。阈值电......

采用先形成P-body区再生长栅氧化层的新工艺流程和薄栅氧化层配合Si3N4-SiO2钝化层加固工艺，研制出一种抗总剂量辐照加固功率VDMOS......

随着超大规模集成电路的不断发展,薄栅氧化层的质量对器件和电路可靠性的作用越来越重要。经时绝缘击穿(TDDB)是评价薄栅氧化层质......

该文定量研究了热电子和空穴注入对薄栅氧化层击穿的影响,讨论了不同应力条件下的阈值电压变化.首次提出了薄栅氧化层的经时击穿是......