表面光伏谱相关论文
氧化锌是一种新型的Ⅱ-Ⅵ族宽禁带直接带隙半导体材料,纳米氧化锌拥有纳米材料和半导体材料两方面的优秀性质,在光电材料、气敏器......
本文采用表面光伏谱方法,对不同组分及阱宽的InGaAs/GaAs应变量子阱进行了变温表面光伏谱测量.利用形变势模型理论计算,对样品的表......
利用表面光伏法(SPV)研究了半绝缘GaAs(SI-GaAs)的缺陷态.通过加直流光偏置测量了室温下带边以下的光伏响应,发现带隙内缺陷态的光......
采用低温(21 K-300K)稳态表面光伏实验方法,对腐蚀前后的半绝缘砷化镓(Si-GaAs)样品进行了大量的实验测量,发现其表面光伏谱可分为......
利用表面光伏谱可测光电材料的禁带宽度、导电类型、表面态能级和少数载流子扩散长度等。分析了表面光伏技术的非破坏性、快速和高......
表面光伏技术可测量半导体材料的少数载流子的扩散长度、表面电荷等，能表征半导体微结构。采用静电计管作为信号的前置放大器具有电......
