表面电子态相关论文
单层Cu2Si材料在理论预测中具有良好的自支撑稳定性和超导性质，具有成为拓扑材料的潜质，受到了实验科学家的广泛关注。Cu2Si层状材料......
报道了金－多孔硅 稳态光致发光，瞬态光致发光和傅里叶变换红外光谱的研究，讨论了金在多孔硅表面吸附产生的表面电子态对多孔硅光致发......
IV-VI族半导体有多个方面的优异性能，PbTe、SnSe等是重要的热电材料，基于GeTe的Ge-Sb-Te相变合金是光存储的关键材料，铅盐PbS、PbSe、......
用第一性原理的总能计算研究了Cu(100))面的表面结构、弛豫以及氧原子的(√2×2√2)吸附状态.计算给出了Cu(100)(√2×2√2)R45°-......
根据密度泛函理论,采用广义密度近似,建立了水分子在SnO2(110)面不同吸附位的周期平板模型,研究了水分子在SnO2(110)表面的吸附特......
根据密度泛函理论,采用广义密度近似和总体能量平面波赝势方法,计算了SnO2氧化(110)面、还原(110)面的结构及电子特性,研究了O2以......
采用变分法研究了半无限纤锌矿氮化物半导体中电子表面态问题.计及电子与表面光学声子相互作用和结构异性的影响导出了系统的有效......
利用磁控溅射制备了Ag和SiO2分层结构,通过快速热处理,使Ag颗粒扩散到复合薄膜的表面附近.在实验中,通过改变每层Ag和SiO2的厚度,......
将量子围栏作为二维无限深势阱来处理,用定态Schrodinger方程求出其波函数,并对围栏中的表面电子状态进行了讨论,最后在这一理论模......
根据密度泛函理论，采用广义密度近似和总体能量平面波赝势方法，计算了SnO2体结构，氧化（110）面，还原（110）面的结构及电子特性．计算结果发现，Sn......
Ⅳ-Ⅵ族半导体有多个方面的优异性能,PbTe、SnSe等是重要的热电材料,基于GeTe的Ge-Sb-Te相变合金是光存储的关键材料,铅盐PbS、PbS......
