超低介电常数相关论文
选用低介电常数的无机介质材料ZnO-B2O 3-SiO2三元系统,进行了XRD和介电性能定量关系的研究,系统的主、次晶相为SiO 2、Zn2SiO4相.......
300mm硅片干法剥胶系统Gamma Express适用于65纳米和45纳米技术节点。它能够同时满足半导体前道与后道工艺的生产要求。设备在全球......
随着器件的特征尺寸不断缩小,集成电路正向高性能和极大规模迈进,由此导致寄生的互连电阻-电容(RC)延迟迅速增大,制约了集成电路功......
纳米多孔SiO2薄膜具有超低的介电常数,作为绝缘介质在超大规模集成电路互连系统有着巨大的应用潜力.文中概述了纳米多孔SiO2薄膜的......
期刊
研究了以正硅酸乙酯（TEOS）和甲基三乙氧基硅烷（MeSi（OEt）3）为混合硅源,十六烷基三甲基溴化铵（CTAB）为模板剂,采取旋涂技术,在硅晶片表面制......
随着微电子工业的飞速发展,电子器件和集成电路正向着小型化、高密度化发展。元件密度和功能的不断提升对低介电技术提出了更多更......
高性能、高集成度、低功耗和高可靠性一直以来是集成电路发展的主要技术指标和方向。随着器件的特征尺寸不断缩小,其功耗不断降低,......
随着超大规模集成电路的快速发展,市场急需具有超低介电常数、高力学强度及高玻璃化转变温度、热稳定性好的介电材料。本文通过合......
