随着半导体工艺技术的不断发展，非挥发性快闪存储器集成密度要求越来越高,存储单元特征尺寸需要不断减小,因而传统的多晶硅浮栅快闪......

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通过对国产加固N型MOS电容进行衬底热电子高场注入(SHE)及γ总剂量辐照实验，特别是进行总剂量辐射损伤后的热载流子损伤叠加实验，从......

随着对电子产品节能环保要求的提高,对广泛应用于电子产品的肖特基二极管电学性能的要求也越来越高.含金属-氧化物-半导体结构的沟......