静电放电(ESD)相关论文
场路协同仿真方法可耦合场与路研究空气静电放电的非线性特征,有助于静电放电防护的进一步改进.基于CST仿真软件,首先通过静电放电......
静电放电(electrostatic discharge,ESD)的形成机理复杂,会通过不同的效应对电子设备造成复杂而严重的危害。但实际中的静电放电随......
研究了基于0.18 μm 部分耗尽型绝缘体上硅(PDSOI)工艺的静电放电(ESD)防护NMOS 器件的高温特性.借助传输线脉冲(TLP)测试系统对该......
目前国内外研究人员多集中于研究MOS器件和GaAs器件的静电放电(ESD)潜在性失效,而对高频小功率硅双极晶体管的静电放电潜在性失效......
为了满足核辐射条件下静电放电(ESD)瞬态脉冲场小空间测试的需要,基于有源电光调制法研制了一种经济实用的传感器,并利用该传感器......
针对静电放电(ESD)电磁脉冲测试及其辐射场计算这一难点问题,提出了一种基于BP(back propaga-tion)神经网络的任意曲线拟合方法,并......
随着电子工业的飞速发展,静电在航空航天电子产品的生产和使用中的危害日趋严重,造成不可估量的经济损失.在航空航天电子产品中,静......
简要介绍目前自动化仪表的电磁兼容试验的国家标准，阐述了自动化仪表在进行电磁兼容试验时可能出现的问题及引起EMC问题的潜在原因，......
静电放电抑制器是一种静电放电保护电路,在射频和微波集成电路中起到非常重要的保护作用。给出了静电放电抑制器的理论模型。利用......
利用电磁环境效应实验与行为级失效建模方法，研究了在线演化组合逻辑电路的静电放电（ESD）主动防护特性。首先，基于内进化虚拟重配置技......
为适应有源发光二极管显示（AMOLED）以及有源液晶显示（AMLCD）技术的发展,使用三级反向器反馈结构设计了一种全N型的TFT静电放电（ESD）瞬态......
摘 要：对于电子产品的可靠性、安全性而言，静电会带来很大的危害。因此，电子产品的设计必须在PCB的布局、布线以及元器件的选择上做到......
危险化学品在存储区域内移动、运输、使用过程中产生的静电是直接威胁生产安全的重要危险源。本文阐述了危化品存储区域内静电起电......
从全芯片角度出发，采用多电源ESD架构和全芯片ESD设计，对整颗芯片提供全方位的ESD保护，介绍了基于0.18μm CMOS工艺设计的大容量PROM......
包含倒相器的小的瞬时电压箝位保护电路可能在一个HBMESD事件期间产生振荡而且使箝位脱离。用0．25μm工艺生产的一个瞬时电压箝位电......
SED在IC封装过程中对IC产品质量的影响越来越大。以生产过程中遇到的一些实际问题为例．分析探讨了ESD在封装生产过程对产品造成的影......
电极向靶运动速度的测量精度和可靠性是研究放电参数与电极运动速度关系的基础。基于实测数据，为日本小野PS-600／700测试系统的加速......
本文分析了悬挂发射装置静电放电(ESD)的重要性及危害性,并对悬挂发射装置静电放电试验方法进行了初步的研究。......
通过对静电及静电放电（ESD）的简单介绍，提出了在电子装联中进行静电防护的必要性和基本思路。......
本文提出了NMOS堆栈触发控制硅整流器(SNTSCR)作为ESD箝制工艺用来保护CMOS芯片的I/O端.与没有使用厚栅氧化层来克服栅氧化可靠性......
静电放电(Electrostatic Discharge,ESD)存在于日常生活和工业生产中,会导致集成电路功能损坏、金属熔断以及栅氧层击穿,对集成电......
近年来,我国的集成电路产业发展迅速,陆续涌现出不少优秀的半导体公司,很多公司、研究所和高校也将目光放在了高性能集成电路研究......
阐述了在家庭环境中静电的主要产生源、静电的产生机理、对家用电器的危害及其对人身体健康的影响,并从理论上分析了家庭环境中的......
静电放电是一个复杂多变的随机过程,同时静电放电有许多不同的放电形式,产生静电放电的静电源多种多样。根据不同场合静电放电的主......
针对电磁脉冲作用下晶闸管(silicon controlled rectifier,SCR)意外导通事故频发的问题,选择静电放电(electrostatic discharge,ES......
随着绝缘体上硅(SOI)技术的快速进展,SOI集成电路的静电放电(ESD)保护已成为一个主要的可靠性问题.研究了基于PD SOI工艺的栅耦合N......
基于提升GaAs低噪声放大器(LNA)的抗静电(ESD)能力的需求,且实现器件小型化轻量化,设计了一种S波段GaAs低噪声放大器的ESD防护电路......
基于华润上华0.5μm双极-CMOS-DMOS(BCD)工艺设计制备了不同保护环分布情况下的叉指型内嵌可控硅整流器的横向扩散金属氧化物半导......
功率半导体器件静电放电(ESD)的可靠性在应用中至关重要,其抗ESD的机理需深入研究。采用一种符合GB/T 17626.2标准的简明分段线性......
静电放电(ESD)失效与雪崩耐量是影响高压硅功率二极管,如功率快恢复二极管(FRD)性能及可靠性的两个主要因素。利用ISE TCAD平台,采......
以航天电子元器件为研究对象,分析其在被检测过程中产生静电放电的原因及静电放电对元器件的危害机理。总结一些静电防护技术确保......
为了提高静电放电特别是空气式静电放电试验结果的重复性,从理论和试验两方面对影响空气式静电放电(ESD)特性的相关因素进行了研究......
针对静电放电(ESD)电磁脉冲测试及其防护这一静电研究领域的难点问题,利用时域有限差分法并采用电偶极子辐射模式建立了ESD电磁脉......
静电放电(ESD)和过电应力(EOS)是引起芯片现场失效的最主要原因,这两种相似的失效模式使得对它们的失效机理的判断十分困难,尤其是......
随着工艺和科技的发展,电子器件的精密程度越来越高,其对ESD的敏感度也会增加。因此,我们有必要加深对ESD规律及特性的研究,改进ES......
随着全球半导体行业的发展,集成电路(Integrated Circuit,IC)的工艺节点不断微缩至纳米量级。此时,晶体管的物理尺寸更小,芯片规模......
根据灼热桥丝式电火工品的电热起爆机理,考虑桥丝的轴向和径向散热以及药剂自身的分解放热,建立了灼热桥丝式电火工品静电发火的数......
提出了一种芯片集成实现ESD防护及过流保护功能的VDMOS器件设计。在对电流采样原理分析的基础上,提出了一种适用于功率器件的局域......
以静电放电(ESD)以及其他一些电压浪涌形式随机出现的瞬态电压,通常存在于各种电子器件中。随着半导体器件日益趋向小型化、高密度......
为得到2种状态下空气静电放电(ESD)辐射电磁场与放电间隙间距、放电电压和电极接近速度之间的关系,在-30～30kV的宽电压范围和多种温......
目前低压瞬间电压抑制(TVS)二极管工艺参数的研究还不够深入。从深p型(DP)基区杂质浓度、杂质注入能量及基区尺寸控制三个方面探究......
随着微电子加工工艺技术的发展,集成电路对静电越来越敏感。设计合理有效的静电放电（ESD）保护器件显得日趋重要。传统的＂手动计算＋流片......
利用简单的静电放电模拟测试装置对空气静电放电抗扰度试验方法进行了研究.测量了放电电流的上升时间、峰值、自制金属半圆环上的......
为了加强工业生产中静电放电的安全意识,预防静电事故的发生,文章从静电的产生和防护措施等方面进行了分析与探讨,着重对工业生产......
为了研究瞬态电压抑制器(TVS)对快上升沿电磁脉冲的响应,基于传输线脉冲(TLP)测试理论,建立了由高频脉冲发生器、同轴电缆、专用测......
随着半导体制造工艺的进步,器件的特征尺寸越来越小,静电放电(ESD, Electro-Static Discharge)已经成为集成电路中最重要的可靠性......
静电放电(ElectroStatic Discharge, ESD)在集成电路产业的电路失效中占有较大的比重,本文重点讨论了集成电路片上ESD防护器件设计......
