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非晶铟钨氧相关论文
退火温度对非晶铟钨氧薄膜晶体管特性的影响
非晶铟钨氧(a-IWO)薄膜晶体管(TFT)具有高迁移率和高稳定性的优点,但其适合于实际生产的制备工艺条件尚有待摸索。本文研究了退火温度......
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非晶铟钨氧
薄膜晶体管
退火温度
氧空位
表面粗糙度
amorphous indium tungsten oxide
thin film transistor
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