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高温同质缓冲层相关论文
p型导电ZnO:(Al,N,H)薄膜的制备及性能研究
ZnO是一种新型的Ⅱ—Ⅵ族宽禁带化合物半导体材料,由于ZnO具有很高的激子束缚能(室温下为60meV),激子增益可达到300cm-1,是一种可能......
学位
ZnO:(Al
N
H)薄膜
DC磁控溅射
高温同质缓冲层
快速热处理
p-ZnO/n-Zn0.8Cd0.2O/n-ZnO异质结
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